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一種新的IGBT驅動保護電路

admin @ 2014-03-26 , reply:0

概述

摘要:針對IGBT驅動保護問題,提出了一種新的驅動保護電路.採用555集成電路作延時降壓電路.電路具有狀態檢測功能、延時緩降柵壓功能和降壓功能等功能.此電路的特點是簡單,定時精度高,可靠性高,反應快.……

摘要:針對IGBT驅動保護問題,提出了一種新的驅動保護電路.採用555集成電路作延時降壓電路.電路具有狀態檢測功能、延時緩降柵壓功能和降壓功能等功能.此電路的特點是簡單,定時精度高,可靠性高,反應快.

    在電力電子裝置中,IGBT與晶閘管相比,具有許多優點。因此倍受工程師們的青睞.然而,IGBT的可靠性與其驅動電路和保護電路的優劣有直接關係.設計出高性能的IGBT驅動保護電路,一直是工程師們思考的課題之一.

1 驅動保護電路的要求
    IGBT的驅動要求與器件本身的靜動態特性有直接聯繫,特別是柵極的驅動電阻、柵極的正偏壓、負偏壓要與器件特性相符。IGBT的保護要求也應根據器件特性來設計,做到在IGBT損壞之前應立即將IGBT保護關斷.同時將短路電路電流和保護關斷I—V運行軌跡限制在IGBT的短路保護安全工作之內。
    當IGBT短路時,由於主迴路電流變化率較大,在主迴路上會感應出高壓,此壓有時會超出IGBT的安全電壓範圍而導致器件失效 .因此,應採用軟關斷的方法.IGBT允許過流的時間一般為5-20s,且不同型號的IGBT具有不同的允許過流時間和過流倍數,關斷電壓與關斷時間也應被設計得非常精確.這些都要求在設計軟關斷電路時,要給予充分地考慮.其要求如下:
(1)能動態地、適時地向IGBT提供恰當的正向柵壓,當漏源電壓VCE一定時,VCE與VEG 成反向變化.當發生短路時,降低VEG從而延長器件的短路承受時間.
(2)能向IGBT提供恰當的負向柵壓.為使IGBT在關斷過程中提高抗干擾能力,應有一定的負壓.
(3)在IGBT柵極迴路中串聯適當的柵極電阻,以改善VEG的前後沿陡度和防止振蕩.VEG的前後沿陡度應是前沿愈陡愈好,而後沿應有一定的陡度,並非愈陡愈好.

2 驅動保護電路結構及參數
    根據上述IGBT的驅動保護電路的要求,IGBT驅動保護電路如圖1.圖1中,T1、T2、T3、T4和T5是90系列的三極體,T1、T2、T3和T4採用9013,T5採用9012;T1、T4和T5構成IGBT驅動放大電路;R3、T1和T4構成IGBT導通驅動電路,其中R3為100Ω/1/8W;T5、R6、R11和DZ2構成IGBT截止保護電路,其中R6為1KΩ/1/8W,R9為330Ω/1/8W,DZ2為1W5V的穩壓管.IC1選用高速光耦6N136,它的信號傳輸延遲小於75ns,特別適合於高頻電路,其作用是實現控制電路與主電路的隔離;IC2採用555集成電路,它和R8、R9、R12、R13、R14、C3、T6、T7構成延時雙穩電路,其中R8為1kΩ/1/8W,R9為2kΩ/1/8W,R12、R13、R14為1kΩ/1/8W, C3採用高精度的鉭電容,為1u/50v,以提高定時精度;T3和R1組成降壓保護電路,其中DZ3採用1W10V的穩壓管,T6、T7為9013,R10為100Ω/1/8W;T2、R5、D2和C2構成緩降壓保護電路,其中R5為100kΩ/1/8W, D2為1N4148, C2為1u/50V的電解電容;R1、R2、C1、R4、D1和DZ1組成狀態識別電路,其中R1為100KΩ/1/8W,R2為50Ω/1/8W的金屬膜電路,C1為1u/50v的電解電容,R4為100Ω/1/8w的金屬膜電阻,D1為1N4148,DZ1為1W8.2V的穩壓管.

3 電路工作原理
3.1正常工作狀態時工作原理
    當控制電路送來低電平時,光耦IC1導通,T1導通.經過R3使T4導通,經由R7,向IGBT提供+15V的柵極驅動電壓,IGBT快速導通.同時,C1通過R2充電,C1的端電壓按指數規律上升,但此時,IGBT導通,IGBT的CE端的飽和壓降下降,通過D1的鉗位作用,C1的端電壓不會超過DZ1的擊穿電壓,DZ1不導通,T3截止,降壓電路不工作.同時T6截止,T7導通,C3的端電壓為零電平,故555輸出端3腳為低電平,T2截止,緩降壓電路不工作.
    當控制電路送來高電平時,光耦IC1關斷,T1和T4截止,IGBT截止.此時,+15V經由R6和R11使T5導通,DZ2上的-5V電壓施加於IGBT的GE端,使IGBT可靠關斷.同時,由於C1的端電壓為零,DZ1不導通,T6截止,T7導通,故IC2的3端輸出仍為低電平,T2、T3都不導通.
 
圖1IGBT的驅動保護電路

3.2短路故障狀態時的工作原理
    當主電路短路時,IGBT的CE端的電壓迅速升高,此時D1反向關斷,C1端電壓迅速上升.經t時間后,其上升電壓由下式求得:
 
式(1)中,τ=R2×C1 ,單位為秒;
    當C1端電壓大於DZ1的擊穿電壓時,DZ1導通,T3導通,DZ3導通,使IGBT的柵電壓由原來的+15V下降到約+10V.此時,如果故障現象消失,D1導通,C1端電壓下降,DZ1截止,T3截止,IGBT的柵電壓由+10V恢復到+15V,電路恢復正常工作;如果此時故障沒有消失,T6導通,T7截止,C3開始充電,端電壓上升,其上升電壓由下式求得:
 
式(2)中,τ=R14×C3,單位為秒;
    一旦設定的時間到,IC2輸出端輸出高電平,經過R9推動T2導通,C2放電,B點電位緩慢下降,T4緩慢地由導通變為截止.同時T5導通,IGBT的柵電壓變為-5V,IGBT可靠關斷,由於555集成電路工作在雙穩狀態,其一旦翻轉輸出高電平,將始終維持對IGBT的關斷,直至故障被消除,從而增加了系統的抗干擾能力,保證了系統的可靠工作.

4 結論
    綜上所述,此電路具有以下特點:

  1. 採用單電源+15V,使電路結構簡化.
  2. 該驅動電路元件較少,可靠性高,且信號傳輸時問短.反應快.
  3. 由於採用了555集成電路和高精度的鉭電容,故定時精度高,且可按照器件的參數實時靈活地調整定時時間.
  4. 該短路保護電路具有狀態檢測功能、延時緩降柵壓功能和降壓功能等功能.

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