LED基本原理介紹

admin @ 2014-03-19 , reply:0

LED基本原理介紹
 LED基本原理介紹
發光二極體的實質性結構是半導體 PN 結。在 PN 結上加正向電壓時注入少數載流子,少數載流子的複合發光就是發光二極體的工作機理。PN 結就是指在一單晶中,具有相鄰的P區和 N區的結構,它通常是在一種導電類型的晶體上以擴散、離子注入或生長的方法產生另一種導電類型的薄層來製得的。如曾用離子注入法製成碳化硅藍色 LED,用擴散法製成、 As0.60P0.40/GaAs0.35P0.65:N/GaP、GaAs0.15P0.85:N/GaP、GaP:ZnO/GaP 的紅外、紅光、橙光、黃光、紅光 LED,而 GaAlAs、InGaN、InGaAlP 超高亮度 LED 都是由:  LEDPN結也是用生長結制

成的。生長結一般較擴散法和離子注入法是過補償製成 結,量下降,缺陷增多,使用權非輻射複合增加,導致發光效率下降。、磷砷化鎵、銦鎵氮、銦鎵鋁磷等 III-V 族化合物半導體材料,其他還有 IV 族化合物半導體碳化硅、II-VI 族化合物硒化鋅等。 

GaAs Ga生長結製成,效率較高的 GaAs、GaP ZnO/GaP和 GaP:N/GaPPN 無用雜質過多且造成晶體質.常用來製造 LED 的半導體材料主要有砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷 

 




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