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IR2304中文資料(特點,原理及應用)

admin @ 2014-03-19 , reply:0

概述

IR2304中文資料(特點,原理及應用)半橋驅動晶元IR2304中文資料(特點,原理及應用)1IR2304的功能特點IR2304是國際整流器公司(IR)新推出的多功能600V高端及低端驅動集成電路,這……
IR2304中文資料(特點,原理及應用)

半橋驅動晶元IR2304中文資料(特點,原理及應用)



1 IR2304的功能特點

IR2304是國際整流器公司(IR)新推出的多功能600V高端及低端驅動集成電路,這種適於功率MOSFET、IGBT驅動的自舉式集成電路在照明鎮流器、電源及電機等功率驅動領域中將獲得廣泛的應用。IR2304的性能特點如下:

(1)晶元體積小(DIP8),集成度高(可同時驅動同一橋臂的上、下兩隻開關器件);

(2)動態響應快。典型通斷延遲時間220/220ns、內部死區時間100ns、匹配延遲時間50ns;

(3)驅動能力強,可驅動600V主電路系統。具有60mA/130mA輸出驅動能力,柵極驅動輸入電壓寬達10~20V;

(4)工作頻率高。可支持100kHz或以下的高頻開關,可與IRF830或IRFBC30等較小巧的MOSFET或IGBT配合使用;

(5)輸入輸出同相設計。提供高端和低端獨立控制驅動輸出,可通過兩個兼容3.3V、5V和15V輸入邏輯的獨立CMOS或LSTTL輸入來控制,為設計帶來了很大的靈活性;

(6)低功耗設計,堅固耐用且防噪效能高。IR2304採用高壓集成電路技術,整合設計既降低成本和簡化電路,又降低設計風險和節省電路板的空間。相比於其它分立式、脈衝變壓器及光耦解決方案,IR2304更能節省組件數量和空間,並提高可靠性;

(7)具有電源欠壓保護和關斷邏輯。IR2304有兩個非倒相輸入及交叉傳導保護功能,整合了專為驅動電機的半橋MOSFET或IGBT電路而設的保護功能。當電源電壓降至4.7V以下時,欠壓鎖定 UVLO 功能會立即關掉兩個輸出,以防止穿通電流及器件故障。當電源電壓大於5V時則會釋放輸出 綜合滯后一般為0.3V。過壓(HVIC)及防閉鎖CMOS技術使IR2304非常堅固耐用。

另外,IR2304還配備有大脈衝電流緩衝級,可將交叉傳導減至最低;同時採用具有下拉功能的施密特(Schmitt) 觸髮式輸入設計,可有效隔絕噪音,以防止器件意外開通。

IR2304採用8腳DIP或SOIC封裝,其引腳排列如圖1所示。該晶元與其它同類產品的特性比較見表1,從表1可看出IR2304比同類其它產品特性更優越,集成度更高。











    註:1:邏輯運行時為COM-5到COM+600V,邏輯狀態保持為COM-5V到COM-Vbs

2 IR2304的工作原理




IR2304的典型接線如圖2所示,圖中VCC為10~25V功率管門極驅動電源,可用TTL或CMOS邏輯信號作為輸入,因此VCC可用一個典型值為+15V的電源。C2為自舉電容,當VT1關斷、VT2開通時,VCC經VD、C2、負載、VT2給C2充電,以確保VT2關斷、VT1開通時,VT1管的柵極靠C2上足夠的儲能來驅動,從而實現自舉式驅動。若負載阻抗較大,C2經負載降壓充電較慢,使得當VT2關斷、VT1開通時C2上的電壓仍不能充電至自舉電壓8.2V以上時,輸出驅動信號會因欠壓被片內邏輯封鎖,VT1就無法正常工作。每個周期VT1開關一次,C2就通過開關VT2充電一次。因此,C2的容量選擇應考慮如下幾點:

(1)C2應為高穩定、低串聯電感、高頻率特性的優質電容,容量為0.1~1μF。

(2)盡量使自舉上電迴路不經大阻抗負載,否則應為C2充電提供快速充電通路。

(3)PWM開關頻率較高時,C2應選小。當PWM工作頻率較低時,若占空比較高,則VT1開通時間較長,VT2開通時間較短,因此C2應選小;若占空比較低,VT1導通脈寬較窄,則VT2導通脈寬較寬,自舉電壓容易滿足。否則,在有限時間內無法達到自舉電壓,從而造成欠壓保護電路工作。因此,C2的選擇應綜合考慮PWM變化的各種情況,最好在調試時監測HO、VS腳的波形。







3 三相橋式逆變電路

由IR2304組成的三相橋式逆變器的硬體結構如圖3所示。對於由六個功率元件構成的三相橋式逆變器來說,採用三片IR2304驅動三個橋臂是中小型功率變換的理想選擇。

該逆變電路中的主電路可將直流電壓(+DC)逆變為三相交流輸出電壓U、V、W。該直流電壓(+DC)來自三相橋式整流電路,逆變電路功率元件應選用耐壓為1000V的IGBT元件。

逆變器中的驅動電路使用的就是1000V的IR2304。由於三相逆變器每個周期總有一個上下管導通,故上管自舉電容容易充電,三個上管自舉電路可有序工作。但IR2304使用不當,尤其是自舉電容選擇不好,易導致晶元損壞或不能正常工作。電容C1、C2和C3分別為三路高端輸出的供電電源的自舉電容。單電源+15V供電電壓經二極體隔離后又分別作為其三路高端驅動輸出的供電電源,這樣一來大大減小了控制變壓器體積並減少了電源數目,從而降低了產品成本,提高了系統可靠性。

通過電路中的PWM控制器可為逆變器提供六路控制信號。一些模擬電路或數字電路的PWM的產生都通過專用晶元來實現,如三相PWM發生器SA8282。為了提高PWM的輸出質量和可靠性,以高性能單片機和數字信號處理(DSP)等為控制核心來構成整個系統。如德州儀器TMS320LF240xDSP內部自帶的事件管理器模塊專門用來產生PWM。它們大部分是在16位單片機或DSP的基礎上增加部分特殊的控制功能來構成專用的集成電路,應用在各種開關電源、交直流電機調速系統中。以TMS320LF240xDSP為核心的典型數字控制電機變壓變頻調速系統原理框圖如圖4所示。實驗和調試結果表明,利用TMS320LF2407DSP事件管理器模塊的波形發生器輸出的方波可簡化系統的軟硬體開發,同時其PWM波形的質量和可靠性也很好。



4 注意事項

用IR2304設計逆變器時,應注意以下幾點:

(1)當自舉電壓不容易滿足要求時,可以取掉VD,直接給VB、VS加另一個10~25V隔離電源,但這一作法沒有充分利用IR2304應有的資源和特點。對於全橋型逆變器,無需經過負載充電,這種形式的自舉工作僅是C2選擇問題。







(2)若使用自舉技術產生VB時,則接於引腳Vcc與VB間的二極體VD應為超快恢復二極體,其反向耐壓要大於600V。

(3)晶元中的輸入控制邏輯電路還為同一橋臂的高端和低端提供了死區時間,以避免同一橋臂上被驅動功率元件在開關轉換過渡期間同時導通。

(4)驅動電路輸出串接電阻阻值一般應在 10~33Ω,而對於小功率器件,串接電阻應該增加到30~50Ω。

(5)驅動電路與被驅動功率器件的距離應儘可能短,連接線應儘可能使用雙絞線或同軸電纜屏蔽線。

(6)可使用高頻高速光耦合器件,如6N136、4N25等將控制部分(圖3中的PWM控制器)與由IR2304構成的驅動電路隔離,使控制電路的邏輯地和驅動電路的邏輯地相互獨立,以此來增強系統的抗干擾能力。

(7)在具體應用電路設計中可根據實際需要靈活變更外圍電路,以滿足使用需求。




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