與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器
電路的功能
場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，用轉換開關選擇電阻R1~3，設定工作電流，R值可用R=15/ID計算。電路工作原理在OP放大器反相放大電路中，使流過反饋迴路的電流與輸入電阻確定的電流相等，因此FET漏極電流EB由柵極電壓VGS確定。即OP放大器A1構成伺服電路，用A1的輸出控制反相輸入端的電位，使基等於零。齊納二極體D3和D4產生±9V的電壓對被測對象（DUT）的柵極電壓進行拖箝位使電路不至加異常電壓。R5是限流電阻，用來控制柵極電流，使基不至過大（通常幾乎無電流流過）。FET有N溝道和P溝道兩種型式，因此可用SW1切換輸入電壓的極性，滿足這兩種型號的需要。測試開關SW2在無DUT時，柵極端子電壓高於夾斷電壓，OP放大器的輸出對於NOA來說為負，對於POH為正，在進行正常測試時，OP放大器輸出為VGS。工作電流ID為1UA時，R1=15/10的-6次方=15M，IB=100UA時，R2=15/10的-4=150K，ID為1MA時，R3=15/10的3次方=15K，應根據使用要求計算R1~R3。
註釋FET的自編電路圖中所示為普通N溝通J-FET自偏電路，由於夾斷電壓VP或漏極飽和電流IDSS的誤差，使置偏點Q發生變化。若把源極電阻RS兩端產生的電壓作為柵極置偏，設定Q點，考慮VP和IDSS的影響后，可用下式大約計算出RS
RS越大，越能吸收誤差，但由於受工作電流IDQ的限制，須選用適當的阻值或改用固定置偏電路。
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