| 1、 同相放大電路加在兩輸入端的電壓大小接近相等 2、 反相放大電路的重要特徵是“虛地”的概念 3、 PN結具有一種很好的數學模型：開關模型à二極體誕生了à再來一個PN結，三極體誕生了 4、 高頻電路中，必須考慮PN結電容的影響（正向偏置為擴散電容，反相偏置為勢壘電容） 5、 點接觸型二極體適用於整流，面接觸型二極體適用於高頻電路 6、 硅管正嚮導通壓降0.7V,鍺管為0.2V 7、 齊納二極體（穩壓管）工作於反向擊穿狀態 8、 肖特基二極體（Schottky,SBD）適用於高頻開關電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大 9、 光電二極體（將光信號轉為電信號） 10、 二極體的主要參數：最大整流電流，最大反相電壓，漏電流 14、 三極體數學模型：單管電流放大 17、 去耦電容：輸出信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路 18、 BJT是一種電流控制電流型器件（雙極型），FET是一中電壓控制電流器件（單極型） 21、 增強型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負的Vgs，那麼可能出現夾斷，此時的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負的柵源電壓下工作） 23、 MOSFET主要參數：開啟電壓Vt，夾斷電壓Vp。極限參數：最大漏極電流Idm，最大耗散功率Pdm 25、 差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個重要的數學模型：任意一個輸入信號=共模信號±差模信號/2 26、 差分式放大電路只放大差模信號，抑制共模信號。利用這個特性，可以很好的抑制溫度等外界因素的變化對電路性能的影響。具體的性能指標：共模抑制比Kcmr 27、 集成運放的溫度漂移是漂移的主要來源 28、 集成運放的參數：最大輸出電流，最大輸出電壓 29、 VCC是電路的供電電壓, VDD是晶元的工作電壓 30、 放大電路的干擾：1、將電源遠離放大電路2、輸入級屏蔽3、直流電源電壓波動（採用穩壓電源，輸入和輸出加上濾波電容） 31、 負反饋放大電路的四種組態：電壓串聯負反饋（穩定輸出電壓），電壓並聯負反饋，電流串聯負反饋（穩定輸出電流），電流並聯負反饋 |
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