語音合成晶元VP-1000應用電路 VP-1000語言合成晶元的基本特點: ①VP-1000語言合成晶元是採用CMOS工藝製造,連續可變斜率增量調製技術(CvSD) 的大規模集成電路。 ②晶元適合配接靜態存儲器SRAM或只讀存儲器ROM或EPROM。定址能力為32k×8位。 ③採樣速率為9.6~128kbps範圍內可調。 ④內部有時鐘振蕩電路,外接RC即可工作。 ⑤單一電源供電,工作電壓為直流 (3~6)V。靜態工作電流為50tLA。 ⑥採用40腳雙列直插式封裝。 VP-1000引腳圖: VP-1000的應用電路 VP-1000的應用電路圖中接了一片8k x 8的SRAM,在採樣頻率為10kpbs時能存放6s多的錄音信息。Sl為放音開關,S2為錄音開關。VP-1000和已燒制好的存儲器相連只做放音的電路如上圖所示。 |