自1976年開發出功率MOSFET以來,由於半導體工藝技術的發展,它的性能不斷提高:如高壓功率MOSFET其工作電壓可達1000V;低導通電阻MOSFET其阻值僅lOmΩ;工作頻率範圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;並開發出各種貼片式功率MOSFET(如Siliconix最近開發的厚度為1.5mm“Little Foot系列)。另外,價格也不斷降低,使應用越來越廣泛,不少地方取代雙極型晶體管。 |
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