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74HC244中文資料

admin @ 2014-03-19 , reply:0

概述

74HC244中文資料74HC244中文資料74HC244是專門設計的8緩衝器及線驅動器,以改善三態存貯地址驅動器,時鐘驅動器和匯流排定向收發器的性能和集成度。AbsoluteMaximumRatin……
74HC244中文資料

74HC244中文資料


74HC244是專門設計的8 緩衝器及線驅動器,以改善三態存貯地址驅動器,時鐘驅動器和匯流排定向收發器的性能和集成度


Absolute Maximum Ratings絕對最大額定值:





























DC Supply Voltage, 直流供電電壓 VCC



 -0.5V to 7V



DC Input Diode Current, 直流輸入二極體電流 IIK For VI < -0.5V or VI > VCC + 0.5V



±20mA



DC Output Diode Current, IOK For 直流輸出二極體電流 VO < -0.5V or VO > VCC + 0.5V



±20mA



DC Drain Current, per Output,直流漏電流,每路輸出,輸入輸出為 IO For -0.5V < VO < VCC + 0.5V



±35mA



DC Output Source or Sink Current per Output Pin, IO For VO > -0.5V or VO < VCC + 0.5V



±25mA



DC VCC or Ground Current, ICC



±70mA




 


真值表:

































輸入



輸出



輸出控制



數據



G



A



Y



L



L



H



L



H



L



H



X



Z




74HC244引腳圖


 


 



              HC HCT 引腳圖                         HC HCT 功能圖 


 


74HC244電氣參數:








































Operating Conditions操作條件



Temperature Range (TA)溫度範圍



-55℃ to 125℃



Supply Voltage Range, 電源電壓範圍,虛擬通道連接 VCC



HC Types



2V to 6V



HCT Types



4.5V to 5.5V



DC Input or Output Voltage, VI, VO 輸入或輸出直流電壓



0V to VCC



Input Rise and Fall Time 輸入上升和下降時間



2V



1000ns (最大)



4.5V



500ns (最大)



6V



400ns (最大)




 


Thermal Information熱特性:

































Thermal Resistance 熱電阻(Typical, Note 1)



θJA



E (PDIP) 封裝



69℃/W



M (SOIC) 封裝



58℃/W



PW (TSSOP) 封裝



83℃/W



Maximum Junction Temperature 最高結溫



150℃



Maximum Storage Temperature Range 最大存儲溫度範圍



-65℃ to 150℃



Maximum Lead Temperature 焊接最高溫度(焊接10秒)(SOIC - Lead Tips Only)



300℃




 


DC Electrical Specifications直流電氣規格:



































































































































































































































































Parameter 參數



Symbol 符號



TEST Conditions 測試條件



 



25℃



-40℃TO85℃



-55℃TO125℃



UNIT 單位



VI (V)



IO (mA)



VCC (V)



最小



典型



最大



最小



最大



最小



最大



High Level Input Voltage輸入高電平電壓



VIH



-



-



2



1.5



-



-



1.5



-



1.5



-



V



4.5



3.15



-



-



3.15



 -



3.15



-



V



6



4.2



-



-



4.2



-



4.2



-



V



LOW Level Input Voltage 輸入低電平電壓



VIL



-



-



2



-



-



0.5



-



0.5



-



0.5



V



4.5



-



-



1.35



-



1.35



-



1.35



V



6



-



-



1.8



-



1.8



-



1.8



V



HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 CMOS負載



VOH



VIH or VIL



-0.02



2



1.9



-



-



1.9



-



1.9



-



V



-0.02



4.5



4.4



-



-



4.4



 -



4.4



-



V



-0.02



6



5.9



-



-



5.9



-



5.9



-



V



HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 TTL負載



-6



4.5



3.98



-



-



3.84



-



3.7



-



V



-7.8



6



5.48



-



-



5.34



-



5.2



-



V



Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓 CMOS負載



VOL



VIH or VIL



0.02



2



-



-



0.1



-



0.1



-



0.1



V



0.02



4.5



-



-



0.1



-



0.1



-



0.1



V



0.02



6



-



-



0.1



-



0.1



-



0.1



V



Low Level Output Voltage輸出低電平電壓 TTL負載



6



4.5



-



-



0.26



-



0.33



-



0.4



V



7.8



6



-



-



0.26



-



0.33



-



0.4



V



Input Leakage Current輸入漏電流



II



VCC or GND



-



6



-



-



±0.1



-



±1



-



±1



μA



Quiescent Device Current靜態電流



ICC



VCC or GND



0



6



-



-



8



-



80



-



160



μA




 


DC Electrical Specifications直流電氣規格(續)









































































































































Parameter 參數



Symbol 符號



TEST Conditions 條件



 



25℃



-40℃ TO 85℃



-55℃ TO 125℃



UNIT 單位



VI (V)



IO (mA)



VCC (V)



最小



典型



最大



最小



最大



最小



最大



Three-State Leakage Current三態泄漏電流



IOZ



VIL or VIH



-



6



-



-



±0.5



-



±0.5



-



±10



μA



High Level Input Voltage輸入高電平電壓



VIH



-



-



4.5 to 5.5



2



-



-



2



-



2



-



V



LOW Level Input Voltage 輸入低電平電壓



VIL



-



-



4.5 to 5.5



-



-



0.8



-



0.8



-



0.8



V



HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 CMOS 負載



VOH



VIH or VIL



-0.02



4.5



4.4



-



-



4.4



-



4.4



-



V



HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 TTL負載



-6



4.5



3.98



-



-



3.84



-



3.7



-



V



Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓 CMOS負載



VOL



VIH or VIL



0.02



4.5



-



-



0.1



-



0.1



-



0.1



V



Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓TTL負載



6



4.5



-



-



0.26



-



0.33



-



0.4



V



Input Leakage Current輸入漏電流



II



VCC to GND



0



5.5



-



-









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