74HC244中文資料

DC Supply Voltage, 直流供電電壓 VCC

 -0.5V to 7V

DC Input Diode Current, 直流輸入二極體電流 IIK For VI < -0.5V or VI > VCC + 0.5V

±20mA

DC Output Diode Current, IOK For 直流輸出二極體電流 VO < -0.5V or VO > VCC + 0.5V

±20mA

DC Drain Current, per Output,直流漏電流，每路輸出，輸入輸出為 IO For -0.5V < VO < VCC + 0.5V

±35mA

DC Output Source or Sink Current per Output Pin, IO For VO > -0.5V or VO < VCC + 0.5V

±25mA

DC VCC or Ground Current, ICC

±70mA

輸入

輸出

輸出控制

數據

G

A

Y

L

L

H

L

H

L

H

X

Z

Operating Conditions操作條件

Temperature Range (TA)溫度範圍

-55℃ to 125℃

Supply Voltage Range, 電源電壓範圍，虛擬通道連接 VCC

HC Types

2V to 6V

HCT Types

4.5V to 5.5V

DC Input or Output Voltage, VI, VO 輸入或輸出直流電壓

0V to VCC

Input Rise and Fall Time 輸入上升和下降時間

2V

1000ns (最大)

4.5V

500ns (最大)

6V

400ns (最大)

Thermal Resistance 熱電阻(Typical, Note 1)

θJA

E (PDIP) 封裝

69℃/W

M (SOIC) 封裝

58℃/W

PW (TSSOP) 封裝

83℃/W

Maximum Junction Temperature 最高結溫

150℃

Maximum Storage Temperature Range 最大存儲溫度範圍

-65℃ to 150℃

Maximum Lead Temperature 焊接最高溫度（焊接10秒）(SOIC - Lead Tips Only)

300℃

Parameter 參數

Symbol 符號

TEST Conditions 測試條件

25℃

-40℃TO85℃

-55℃TO125℃

UNIT 單位

VI (V)

IO (mA)

VCC (V)

最小

典型

最大

最小

最大

最小

最大

High Level Input Voltage輸入高電平電壓

VIH

-

-

2

1.5

-

-

1.5

-

1.5

-

V

4.5

3.15

-

-

3.15

 -

3.15

-

V

6

4.2

-

-

4.2

-

4.2

-

V

LOW Level Input Voltage 輸入低電平電壓

VIL

-

-

2

-

-

0.5

-

0.5

-

0.5

V

4.5

-

-

1.35

-

1.35

-

1.35

V

6

-

-

1.8

-

1.8

-

1.8

V

HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 CMOS負載

VOH

VIH or VIL

-0.02

2

1.9

-

-

1.9

-

1.9

-

V

-0.02

4.5

4.4

-

-

4.4

 -

4.4

-

V

-0.02

6

5.9

-

-

5.9

-

5.9

-

V

HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 TTL負載

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

-7.8

6

5.48

-

-

5.34

-

5.2

-

V

Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓 CMOS負載

VOL

VIH or VIL

0.02

2

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

0.02

6

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

Low Level Output Voltage輸出低電平電壓 TTL負載

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

7.8

6

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

Input Leakage Current輸入漏電流

II

VCC or GND

-

6

-

-

±0.1

-

±1

-

±1

μA

Quiescent Device Current靜態電流

ICC

VCC or GND

0

6

-

-

8

-

80

-

160

μA

Parameter 參數

Symbol 符號

TEST Conditions 條件

25℃

-40℃ TO 85℃

-55℃ TO 125℃

UNIT 單位

VI (V)

IO (mA)

VCC (V)

最小

典型

最大

最小

最大

最小

最大

Three-State Leakage Current三態泄漏電流

IOZ

VIL or VIH

-

6

-

-

±0.5

-

±0.5

-

±10

μA

High Level Input Voltage輸入高電平電壓

VIH

-

-

4.5 to 5.5

2

-

-

2

-

2

-

V

LOW Level Input Voltage 輸入低電平電壓

VIL

-

-

4.5 to 5.5

-

-

0.8

-

0.8

-

0.8

V

HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 CMOS 負載

VOH

VIH or VIL

-0.02

4.5

4.4

-

-

4.4

-

4.4

-

V

HIGH Level Output Voltage輸出高電平電壓 TTL負載

-6

4.5

3.98

-

-

3.84

-

3.7

-

V

Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓 CMOS負載

VOL

VIH or VIL

0.02

4.5

-

-

0.1

-

0.1

-

0.1

V

Low Level Output Voltage 輸出低電平電壓TTL負載

6

4.5

-

-

0.26

-

0.33

-

0.4

V

Input Leakage Current輸入漏電流

II

VCC to GND

0

5.5

-

-