1)去藕 (電源端) 去耦電容一般是接在正負電源之間,濾波作用.(也是一個牛人)說過在對電源布線的時候,優先讓電源導線經過去耦電容 去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用:一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻雜訊(c對高頻阻力小,將之瀉至GND)。 1.數字電路中,當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時,就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的雜訊電壓。,會影響前級的正常工作。這就是耦合。 對於雜訊能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應在晶元的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。 2.關於去耦電容蓄能作用的理解 1)去耦電容主要是去除高頻如RF信號的干擾,干擾的進入方式是通過電磁輻射。 而實際上,晶元附近的電容還有蓄能的作用,這是第二位的。
這也是為什麼很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一 (在vcc引腳上通常並聯一個去藕電容,這樣交流分量就從這個電容接地。) 2)有源器件在開關時產生的高頻開關雜訊將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供 一 個局部的直流電源給有源器件,以減少開關雜訊在板上的傳播和將雜訊引導到地 我們經常可以看到,在電源和地之間連接著去耦電容,它有三個方面的作用:一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產生的高頻雜訊,切斷其通過供電迴路進行傳播的 通路;三是防止電源攜帶的雜訊對電路構成干擾。 數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分佈電感的典型值是5μH。 0.1μF的去耦電容有5μH的分佈電感,它的并行共振頻率大約在7MHz左右,也就是說,對於10MHz以 下的雜訊有較好的去耦效果,對40MHz以上的雜訊幾乎不起作用。 1μF、10μF的電容,并行共振頻率在20MHz以上,去除高頻雜訊的效果要好一些。 每10片左右集成電路要加一片充放電電容,或1個蓄能電容,可選10μF左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜捲起來的,這種捲起來的結構在高頻時表現為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。 2)旁路 (信號端) 旁路電容一般是接在信號端對地的,有抗干擾或降低雜訊作用; 旁路:從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是通過產生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分,另外還可以提供基帶濾波功能(帶寬受限)。 旁路電容的主要功能是產生一個交流分路,從而消去進入易感區的那些不需要的能量。 旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源模塊的瞬態電流需求。 通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容,其電容值取決於PCB板上的瞬態電流需求,一般在10至470µF範圍內。 若PCB板上有許多集成電路、高速開關電路和具有長引線的電源,則應選擇大容量的電 容。 Eg : 只需要低頻信號,就再下級電路並聯一個 C ,將上級電路的高頻干擾信號 瀉至…… 2.旁路電容和去耦電容的區別 在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。 對於同一個電路來說, 旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻雜訊作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除, 去耦(decoupling)電容也稱退耦電容,是把輸出信號的干擾作為濾除對象。 旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象,而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象,防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。 ++++++++++++++++++++++++ 只是旁路電容一般是指高頻旁路,也就是給高頻的開關雜訊提高一條低阻貳泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小,根據諧振頻率一般是0.1u,0.01u等 ,而去耦合電容一般比較大,是10u或者更大,依據電路中分佈參數,以及驅動電流的變化大小來確定。 |