| 1）去藕 （電源端）
去耦電容一般是接在正負電源之間，濾波作用.（也是一個牛人）說過在對電源布線的時候，優先讓電源導線經過去耦電容
去耦電容在集成電路電源和地之間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻雜訊(c對高頻阻力小，將之瀉至GND)。 1.數字電路中，當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的雜訊電壓。，會影響前級的正常工作。這就是耦合。
對於雜訊能力弱、關斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件，應在晶元的電源線（Vcc）和地線（GND）間直接接入去耦電容。 2.關於去耦電容蓄能作用的理解
1）去耦電容主要是去除高頻如RF信號的干擾，干擾的進入方式是通過電磁輻射。
而實際上，晶元附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的。
這也是為什麼很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一 （在vcc引腳上通常並聯一個去藕電容，這樣交流分量就從這個電容接地。） 2）有源器件在開關時產生的高頻開關雜訊將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供 一 個局部的直流電源給有源器件，以減少開關雜訊在板上的傳播和將雜訊引導到地 我們經常可以看到，在電源和地之間連接著去耦電容，它有三個方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容；二是濾除該器件產生的高頻雜訊，切斷其通過供電迴路進行傳播的 通路；三是防止電源攜帶的雜訊對電路構成干擾。 數字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個電容的分佈電感的典型值是5μH。
0.1μF的去耦電容有5μH的分佈電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對於10MHz以 下的雜訊有較好的去耦效果，對40MHz以上的雜訊幾乎不起作用。
1μF、10μF的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻雜訊的效果要好一些。
每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10μF左右。最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜捲起來的，這種捲起來的結構在高頻時表現為電感。要使用 鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
2）旁路 （信號端）
旁路電容一般是接在信號端對地的，有抗干擾或降低雜訊作用；
旁路：從元件或電纜中轉移出不想要的共模RF能量。這主要是通過產生AC旁路消除無意的能量進入敏感的部分，另外還可以提供基帶濾波功能（帶寬受限）。
旁路電容的主要功能是產生一個交流分路，從而消去進入易感區的那些不需要的能量。
旁路電容一般作為高頻旁路器件來減小對電源模塊的瞬態電流需求。
通常鋁電解電容和鉭電 容比較適合作旁路電容，其電容值取決於PCB板上的瞬態電流需求，一般在10至470µF範圍內。
若PCB板上有許多集成電路、高速開關電路和具有長引線的電源，則應選擇大容量的電 容。
Eg ： 只需要低頻信號，就再下級電路並聯一個 C ，將上級電路的高頻干擾信號 瀉至……
2.旁路電容和去耦電容的區別
在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了。
對於同一個電路來說，
旁路（bypass）電容是把輸入信號中的高頻雜訊作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，
去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。
旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。
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只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關雜訊提高一條低阻貳泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分佈參數，以及驅動電流的變化大小來確定。 | 
