| 下圖所示電路圖適用於電阻電橋電路的一般多路調製器.在圖中電橋電路這樣的場合，信號本身由內部電源（基準電壓源：Vr）供應，所以，閂鎖等對策就變得容易。C－MOS開關的單端輸入模擬多路調製器-CD4 所示的保護電阻（R1、R2）的值可以減小。
在圖中，作為對閂鎖等的對策，在電橋電路部分設置齊納二級管D2（4.7V）。其理由是為了防止感測器與多路調製器之間的距離變長時所受到的感應雜訊和波動等對多路調製器的侵入。該齊納二級管平時處於截止狀態，吸收4.7V以上的雜訊和波動。
另一方面，在多路調製器的輸入級設置雜訊濾波器。在下圖，為了除去共模雜訊，設置了R1、C1、R2、C2。為了除去正相雜訊，設置也C0。R1、R2的值與C－MOS開關的單端輸入模擬多路調製器-CD4 的例子不能差別很大。理由是電橋輸出電壓微小的緣故。
要提高電橋的輸入電壓，可考慮增加驅動電流，但由於自身發熱而產生誤差，所以提高輸出電壓有一定界限。例如，測溫電阻的場合，一般為2mA或5mA。這將由JIS規疾。
因此，下圖的使用方法自然而然地是有限度的。C－MOS多路調製器的漏電流在0℃～50℃時，即使再少也要有lnA左右的變化，所以，如果開關數10mV左右的信號，也按目標精度，但從多路調製器側所看到的信號源電阻（保護電阻R1、R2和電橋電網）的值必須控制在數kΩ以內。
 | 
