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可控硅整流電路

admin @ 2014-03-17 , reply:0

概述

可控硅元件—可控硅整流電路 一、單相半波可控整流電路1、工作原理電路和波形如圖1所示,設u2=U2sinω。圖1單相半波可控整流正半周:0<t<t1,ug=0,T正向阻斷,id……

可控硅元件—可控硅整流電路 

一、單相半波可控整流電路

1、工作原理

電路和波形如圖1所示,設u2=U2sinω。

圖1 單相半波可控整流

正半周:

0<t<t1,ug=0,T正向阻斷,id=0,uT=u2,ud=0

t=t時,加入ug脈衝,T導通,忽略其正向壓降,uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。

負半周:

π≤t<2π當u2自然過零時,T自行關斷而處於反向阻斷狀態,ut=0,ud=0,id=0。

從0到t1的電度角為α,叫控制角。從t1到π的電度角為θ,叫導通角,顯然α+θ=π。當α=0,θ=180度時,可控硅全導通,與不控整流一樣,當α=180度,θ=0度時,可控硅全關斷,輸出電壓為零。 

2、各電量關係

ud波形為非正弦波,其平均值(直流電壓):

由上式可見,負載電阻Rd上的直流電壓是控制角α的函數,所以改變α的大小就可以控制直流電壓Ud的數值,這就是可控整流意義之所在。

流過Rd的直流電流Id:

Ud的有效值(均方根值):

流過Rd的電流有效值:

由於電源提供的有功功率P=UI,電源視在功率S=U2I(U2是電源電壓有效值),所以功率因數:

由上式可見,功率因數cosψ也是α的函數,當α=0時,cosψ=0.707。顯然,對於電阻性負載,單相半波可控整流的功率因數也不會是1。

比值Ud/U、I/Id和cosψ隨α的變化數值,見表1,它們相應的關係曲線,如圖2所示

表1 Ud/U、I/Id和cosψ的關係

α 30° 60° 90°  120° 150° 180°
Ud/U
I/Id
cosψ
0.45
1.57
0.707
0.42
1.66
0.698
0.338
1.88
0.635
0.225
2.22
0.508
0.113
2.87
0.302
0.03
3.99
0.12
0
-
0

圖2 單相半波可控整流的電壓、電流及功率因數與控制角的關係

由於可控硅T與Rd是串聯的,所以,流過Rd的有效值電流I與平均值電流Id的比值,也就是流過可控硅T的有效值電流IT與平均值電流IdT的比值,即I/Id=It/IdT。

二、單相橋式半控整流電路

1、工作原理

電路與波形如圖3所示

圖3、單相橋式半控整流

正半周:

t1時刻加入ug1,T1導通,電流通路如圖實線所示。uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。u2過零時,T1自行關斷。

負半周:

t2時刻加入ug2,T2導通,電流通路如圖虛線所示,uT2=0,ud=-u2,ut1=u2。u2過零時T2自行關斷。

2、各電量關係

由圖3可見,ud波形為非正弦波,其幅值為半波整流的兩倍,所以Rd上的直流電壓Ud:

直流電流Id:

電壓有效值U:

電流有效值I:

功率因數cosψ:

比值Ud/U,I/Id和cosψ隨α的變化數值見表2,相應關係曲線見圖4

表2 Ud/U、I/Id、cosψ與α的關係表

α 30° 60° 90° 120° 150° 180°
Ud/U
I/Id
cosψ
0.9
1.112
1
0.84
1.179
0.985
0.676
1.335
0.896
0.45
1.575
0.717
0.226
1.97
0.426
0.06
2.835
0.169
0
-
0

圖4、單相全波和橋式電路電壓、電流及功率因數與控制角的關係

把單相全波整流單相半波整流進行比較可知:

(1)當α相同時,全波的輸出直流電壓比半波的大一倍。

(2)在α和Id相同時,全波的電流有效值比半波的減小倍。

(3)α相同時,全波的功率因數比半波的提高了倍。

三、整流電路波形分析

1、單相半波可控整流

(1)電阻性負載(見圖1)

  • 電阻性負載,id波形與ud波形相似,因為可控硅T與負載電阻Rd串聯,所以id=id。

  • 可控硅T承受的正向電壓隨控制角α而變化,但它承受的反向電壓總是負半波電壓,負半波電壓的最大值為U2。

  • 線路簡單,多用在要求不高的電阻負載的場合。

(2)感性負載(不帶續流二極體,見圖5):

圖5 電感性負載無續流二極體

  • 電機電器的電磁線圈、帶電感濾波的電阻負載等均屬於電感性負載。

  • 電感具有障礙電流變化的作用可控硅T導通時,其壓降uT=0,但電流id只能從零開始上升。id增加和減少時線圈Ld兩端的感應電動勢eL的極性變化如圖示。 

  • 當電源電壓u2下降及u2≥0時,只要釋放磁場能量可以維持id繼續流通,可控硅T仍然牌導通狀態,此時ud=u2。當u2<0時,雖然ud出現負值,但電流id的方向不變。

  • 當電流id減小到小於維持電流IH時,可控硅T自行關斷,id=0,UT=u2,可控硅承受反壓。

  • 負載電壓平均值:其中電感Ld兩端電壓的平均值為零。

  • 電感Ld的存在使負載電壓ud出現負值,Ld越大,ud負值越大,負載上直流電壓Ud就越小,Id=Ud/Rd也越小,所以如果不採取措施,可控硅的輸出就達不到應有的電壓和電流。

(3)感性負載(帶續流二極體,見圖6):

圖6 電感性負載有續流二極體 

  • 在負載上並聯一隻續流二極體D,可使Ud提高到和電阻性負載時一樣,

  • 在電源電壓u2≤0時,D的作用有點:①把電源負電壓u2引到可控硅T兩端,使T關斷,uT=u2;②給電感電流續流,形成iD;③把負載短路,ud=0,避免ud出現負值,使負載上直流輸出電壓ud提高。

  • 負載電流為何控硅電流iT和二極體的續流iD之和,即id=iT+iD。當ωLd≥R時,iD下降很慢使id近似為一條水平線,所以流過T和D的電注平均值與有效值分別為:平均值:IdT=(θ/360°)Id;IdD=[(360°-θ)/360°]Id;有效值:IT=根號下(θ/360°)Id;ID=根號下[(360°-θ)/360°]Id

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