| 可控硅與場效應管及三極體的區別
2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大係數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極體是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig>0）；而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效應管的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。
4．場效應管只有多子參與導電；三極體有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。
6．場效應管的雜訊係數很小，在低雜訊放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。
7．場效應管和三極體均可組成各种放大電路和開路電路，但由於前者製造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓範圍寬等優點，因而被廣泛用於大規模和超大規模集成電路中。
可控硅與三極體、場效應管
可控硅是一種特殊的二極體，是可控硅整流元件的簡稱。是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。
可控硅二極體可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬。當可控硅的柵極懸空時，BG1和BG2都處於截止狀態，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL，當柵極輸入一個正脈衝電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高，BG1的基極電位進一步下降，經過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態，這時柵極就算沒有觸發脈衝電路由於正反饋的作用將保持道通狀態不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由於BG1和BG2均處於反向偏置狀態所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當減少到某一個值時由於電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態，我們稱這個電流為維持電流。在實際應用中，我們可通過一個開關來短路可控硅的陽極和陰極從而達到可控硅的關斷。 |
