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概述

快恢復二極體FRD(FastRecoveryDiode)是近年來問世的新型半導體器件,具有開關特性好,反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極體SRD(SuperfastRec……

快恢復二極體FRD(Fast Recovery Diode)是近年來問世的新型半導體器件,具有開關特性好,反向恢復時間短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。超快恢復二極體SRD (Superfast Recovery Diode),則是在快恢復二極體基礎上發展而成的,其反向恢復時間trr值已接近於肖特基二極體的指標。它們可廣泛用於開關電源、脈寬調製器(PWM)、不間斷電源(UPS)、交流電動機變頻調速(VVVF)、高頻加熱等裝置中,作高頻、大電流的續流二極體或整流管,是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
1.性能特點
(1)反向恢復時間
反向恢復時間tr的定義是:電流通過零點由正向轉換到規疾低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢複電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為最大反向恢複電流。Irr為反向恢複電流,通常規疾Irr=0.1IRM。當t≤t0時,正向電流I=IF。當t>t0時,由於整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓,因此正向電流迅速降低,在t=t1時刻,I=0。然後整流器件上流過反向電流IR,並且IR逐漸增大;在t=t2時刻達到最大反向恢複電流IRM值。此後受正向電壓的作用,反向電流逐漸減小,並在t=t3時刻達到規疾值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。
(2)快恢復、超快恢復二極體的結構特點
快恢復二極體的內部結構與普通二極體不同,它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I,構成P-I-N矽片。由於基區很薄,反向恢複電荷很小,不僅大大減小了trr值,還降低了瞬態正向壓降,使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極體的反向恢復時間一般為幾百納秒,正向壓降約為0.6V,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極體的反向恢複電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒。
20A 以下的快恢復及超快恢復二極體大多採用TO-220封裝形式。從內部結構看,可分成單管、對管(亦稱雙管)兩種。對管內部包含兩隻快恢復二極體,根據兩隻二極體接法的不同,又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C 20-04型快恢復二極體(單管)的外形及內部結構。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對管)、MUR1680A型(共陽對管)超快恢復二極體的外形與構造。它們均採用TO-220塑料封裝,主要技術指標見表1。

幾十安的快恢復二極體一般採用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則採用螺栓型或平板型封裝形式。
2.檢測方法
(1)測量反向恢復時間
測量電路如圖3。由直流電流源供規疾的IF,脈衝發生器經過隔直電容器C加脈衝信號,利用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的時刻到IR=Irr時刻所經歷的時間。
設器件內部的反向恢電荷為Qrr,有關係式
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知,當IRM 為一定時,反向恢複電荷愈小,反向恢復時間就愈短。

(2)常規檢測方法
在業餘條件下,利用萬用表能檢測快恢復、超快恢復二極體的單嚮導電性,以及內部有無開路、短路故障,並能測出正嚮導通壓降。若配以兆歐表,還能測量反向擊穿電壓。
實例:測量一隻C90-02超快恢復二極體,其主要參數為:trr=35ns,Id=5A,IFSM=50A,VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔,讀出正向電阻為6.4Ω,n′=19.5格;反向電阻則為無窮大。進一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。證明管子是好的。
注意事項:
(1)有些單管,共三個引腳,中間的為空腳,一般在出廠時剪掉,但也有不剪的。
(2)若對管中有一隻管子損壞,則可作為單管使用。
(3)測正嚮導通壓降時,必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測試電流太小,遠低於管子的正常工作電流,故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測量,正向電阻就等於2.2kΩ,此時n′=9格。由此計算出的VF值僅0.27V,遠低於正常值(0.6V)。

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