bbe電路圖集

BBE技術是美國BBESound公司於1985年推出的用於大幅度改善聲音質量的一種音效增強處理技術。這項技術在歐、美、日早已成功地應用到航天通訊，廣播電視等各個領域，並得到廣泛的認同。
　　眾所周知，在現場聆聽音樂時，所有高音和低音到達人的耳朵時與它們被樂器演奏出來時是保持著一致的。而通過功放重放現場錄音時會產生聲音的頻率相位變化，信號高頻部分因揚聲器的感抗而部分衰減，比低頻部分遲一些到達耳朵，導致音樂聽起來軟綿綿，毫無清脆之感。BBE電路的基本原理是將信號分成幾個頻段，對不同頻段信號的幅度與相位進行適當補償，從而使聲音更加真實、更加清晰和細膩。BBE電路與音調控制器或圖示均衡器的不同之處在於：(1)高頻相位補償。因揚聲器音圈電感對高頻信號產生延遲作用，使聲音變劣，BBE電路將信號中的中、高頻段的相位分別移位－180°和－360°，中頻段延遲0.5ms，低頻段延遲2.5ms，然後各頻段信號再重新組合在一起，這樣經揚聲器放出的聲音曲線更加平滑。(2)高、低頻段幅度補償。BBE電路將信號中的高頻和低頻的幅度予以提升，使信號的輪廓線更分明、音樂形象更突出，同時也彌補了人耳對高、低頻信號靈敏度低的缺點。(3)靜噪功能。BBE電路內部設有雜訊門和高截止濾波器，能對輸入的雜散信號進行衰減。
BBE晶元常見的晶元有美國EXAR公司的XR1071和XR1075，日本羅姆(ROHM)公司的BA3884S，日本JRC公司的M2178等。
BA3884S晶元的應用電路:

XR1071晶元的實際應用電路。它的性能指標較為優秀，信噪比高達95dB，總諧波失真極小，補償調整範圍也較大，工作電壓為±5V雙電源，耗電僅為±15mA。VR2為解析力增強電位器，可使經BBE電路處理后的音頻信號的分析力、清晰度由0dB提高到9.7dB。VR1為低頻成分提升電位器，調整範圍為0～9.9dB，提升低頻的目的是為了保持高、中、低頻成分的良好均衡。調節時要兩者相互配合，把聲音調校至最自然、最清晰的狀態。