IGBT(Insulated Gate Bipolor Transistor)叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的 電壓驅動,自身損耗小。其符號和波形圖如下圖所示。 IGBT可以耐高壓、大電流,常以一個單元、二個單元、六個單元裝在一個晶元上,下圖給出一、二、六單元在一個矽片上的等效電路。
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