| 福州高奇電子科技有限公司 李東星 陳小牧 一：PIC16C71的問題和對策 問題1：在晶元進入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振蕩腳將處於浮態，這將使晶元的睡眠功耗上升，比原手冊中的指標高了10μA以上。 對策：在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進入浮態，且不會影響正常振蕩。 問題2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一個4位寄存器，對應於RA0~RA3，並非手冊中所言是8位寄存器，對應於RA0~RA4，即RA4並沒有相應的輸入/輸出方向控制位，它是一個具有開極輸出，施密特輸入I/O腳。 對策：避免使用對RA口進行讀-修改-寫指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意願地改變RA4的輸入/輸出狀態。對於RA口的操作應採用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。 問題3：當CPU正在執行一條對INTCON寄存器進行讀-修改-寫指令時，如果發生中斷請求，則讀中斷常式會被執行二次。這是因為當中斷請求發生后INTCON寄存器中的GIE位會被硬體自動清零（屏蔽所有中斷），並且程序轉入中斷常式入口（0004H）。當GIE位被清零后，如果這時正好CPU在執行一條對INTCON的讀-修改-寫指令（如BSF INTCON等），則 GIE位還會被寫回操作重新置1，這樣會造成CPU二次進入中斷常式。 對策：如果在程序中需對INTCON的某一中斷允許位進行修改，則應事先置GIE=0
問題4：當晶元電壓VDD 對策：如果VDD上升時間很長，此晶元一般需較長的電源上電延時，可靠的電源上電延時方法如圖1所示，在MCLR端外接複位電路。 問題5：如果在A/D轉換中用RA3作為參考電壓輸入，則最大滿量程誤差(NFS)要大於手冊中的指標。實際情況如表1所示。 表1 A/D滿量程誤差表
問題1：PIC16C84的內部的E2PROM數據存儲器的E/W周期偶爾會超出最大值（10ms）。 對策：在程序中應該用EECON1寄存器中的WR位來判斷寫周期的完成，或是啟用“寫周期完成中斷”功能，這兩種方法可保證寫入完成。 問題2：VDD和振蕩頻率的關係如表2所示。
二：PIC16C84的問題和對策 |
[admin via 研發互助社區 ] PIC16C71/PIC16C84單片機應用中問題和對策已經有2009次圍觀
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