用於NMOS的驅動電路
4，輸入和輸出的電流限制 5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。
6，PWM信號反相。NMOS並不需要這個特性，可以通過前置
下面對NMOS驅動電路原理做一個簡單分析： Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。
Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩隻驅動管Q3和Q4不會同時導通。
R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。
Q3和Q4用來提供驅動電流，由於導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低於0.7V的Vce。
R5和R6是反饋電阻，用於對gate電壓進行採樣，採樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。
最後，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的ICe的限制。必要的時候可以在R4上面並聯加速電容。
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