| IGBT-IPM的R系列內部結構電路圖
IGBT-IPM的R系列內部結構電路
如圖為M57957L/M57958L內部結構和工作原理電路圖。IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻貳和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IPM即智能功率模塊，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且內部有過壓，過流和過熱等故障檢測電路並可以將檢測信號送到CPU。適合驅動電機的變頻器和各種逆變電源。 |
