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自製NE5532與場效應管組成的功放

admin @ 2014-03-19 , reply:0

概述

自製NE5532與場效應管組成的功放自製NE5532與場效應管組成的功放  場效應管功放管有著電子管般的音色。本人曾製作過局部負反饋場效應管功放,聽音效果並不理想。設計成環路負反饋……
自製NE5532與場效應管組成的功放

自製NE5532與場效應管組成的功放


   場效應管功放管有著電子管般的音色。本人曾製作過局部負反饋場效應管功放, 聽音效果並不理想。設計成環路負反饋功放后,音色愈顯甜美,高音細節清晰,低音力度十足,效果出人意料。

一、 場效應管功放電路及工作原理

電路原理如下圖 ,為典型的OCL功放。IC1-A為輸入級; BG1、BG2為激勵級; BG3、BG4為MOSFET組成的互補輸出級; IC1-B為直流零點伺服電路。





IC1-A起電壓放大作用,限於供電電壓的緣故,該級信號輸出幅度不超過±15V, 后級採用射隨器輸出,則輸出功率偏小。本電路既要發揮運放設計簡潔、性能優良的特點,又要滿足合適的輸出功率。 本電路由兩組電源(±15V、±36V)供電,穩壓±15V供給運放使用,±36V供給后級使用。BG1、BG2為共射極電路,R8、R9為負反饋電阻,R1、R5、D1、D2、R18、R19為BG1、BG2提供穩定的直流偏置,以保證其處於導通 ,本級除電壓放大作用之外,更主要是實現了不同電源供電電路的信號耦合。場效應管是電壓放大器件,雖然對驅動電流沒有特別 , 要考慮場效應管輸入電容對高頻特性的影響。 ,驅動信號的內阻應足夠小。BG3、BG4的驅動信號分別取自BG2、BG1的負載R4、R3。BG1、BG2的集電極負載電阻被分為兩段,這是 場效應管的柵源驅動電壓不得大於20伏。BG3、BG4為MOSFET對管組成的漏極輸出級。R11、R12為源極負反饋電阻。IC1-B的作用是穩定末級中點的直流電壓,以實現功放直流化。R13、R7是環路負反饋電阻。R20、R21為防止MOS管高頻自激而設; C2、R16的作用是防止電路自激。

二、 安裝與調試

IC1、BG1~BG4可選用原理圖 器件,也 可選用參數相近的器件。BG1、BG2 β值大於100,Vceo大於100V,Icm大於1A,Pcm大於10W; BG3、BG4參數為VDSS=140V; ID=8A; PD=100W。各互補管要盡 配對。電阻R2、R3、R4、R10、R16選用1W金屬膜,R11、R12選用3W電阻,其他電阻可選用1/4W五環電阻。R20、R21安裝應盡量靠近MOS管柵極。電容選用優質品。

靜態檢測無誤后,接通電源,檢測中點電壓是否為零伏; 測量BG3、BG4柵源極電壓, 為1V左右。若要改為純甲類放大,可 R18、R19阻值。一切正常后 接上音箱、音源試機。





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