常用MOSFET及IGBT器件隔離驅動技術的優缺點

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常用MOSFET及IGBT器件隔離驅動技術的優缺點MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構,直流電不能通過,因而低頻的靜態驅動功率接近於零。但是柵極和源極……...

無源元件並非真的「無源」之電容分析

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 有源元件和無源元件  晶體管和集成電路由於利用來自電源的能量改變信號,所以被認為是有源元件。基於這個依據,我們將電容、電阻、電感、連接器,甚至是印刷電路板(PCB)稱為無源元件,因為它們看……...

SC切晶體電參數實測及結果分析

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 SC切晶體電參數實測及結果分析 為了說明恆溫晶振振蕩電路的設計,隨機挑選一隻常用的SC切10M晶體,實測其等效電路參數。需要說明的是,這些測試都是在室溫下測得,而不是在規定的頻率……...

晶振的尺寸及發展趨勢

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 晶振的尺寸及發展趨勢近幾十年來,在行業內工程師的努力下,晶振的的尺寸一直在不斷減少,基本上不到3年的時間,晶振的體積就會減小一半。雖然趕不上當初的摩爾定律(摩爾估計每18個月集成電路的尺寸……...

精密電阻知識詳解

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 精密電阻知識詳解什麼是精密電阻? 其實,對於不是搞計量的不需要分的那麼清楚,可以大體上認為高精密、高準確、低誤差等是一個意思。但是,對於“精度”一詞,可以……...

穿心電容的使用

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 穿心電容的使用 穿心電容是一種三端電容,但與普通的三端電容相比,由於它直接安裝在金屬面板上,因此它的接地電感更小,幾乎沒有引線電感的影響,另外,它的輸入輸出端被金屬板隔離,消除了……...

COG/NPO電容的電壓特性

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 COG/NPO電容的電壓特性  電容器的電容量不僅隨著溫度變化,還會隨著工作電壓變化,這一點在實際工程必須注意。不同介質材料的電容器的電壓特性如圖3所示。從圖中可以看出,X7R電容器在額定……...

不同材質(Y5V,X7R,NPO/COG)電容的溫度特性

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 不同材質(Y5V,X7R,NPO/COG)電容的溫度特性  由於電容器中的介質參數受到溫度變化的影響,因此電容器的電容值也隨著溫度變化。不同的介質隨著溫度變化的規律不同,有些電容器的容量當……...

常用逆變器功率器件及選擇

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 逆變器的主功率元件的選擇至關重要,常用的功率元件有達林頓功率晶體管(GTR),功率場效應管(MOSFET),絕緣柵晶體管(IGBT)和可關斷晶閘管(GTO)等。功率器件的分類:一.GTR電……...

功率MOSFET的優缺點

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 功率MOSFET的優缺點功率MOSFET其優點是:  1)開關速度快:功率MOSFET又稱VDMOS,是一種多子導電器件,參加導電的是多數載流子,沒有少子存儲現象,所以無固有存儲時間,其開……...