IGBT是什麼?IGBT的結構特點介紹

admin @ 2014-03-19 , reply:0

概述
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IGBT是什麼?IGBT的結構特點介紹

IGBT是什麼?IGBT的結構特點介紹


IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型複合電子器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。


 


圖1所示為N溝道增強型垂直式IGBT單元結構,IGBT採用溝槽結構,以減少通態壓降,改善其頻率特性。並採用NFT技術實現IGBT的大功率。IGBT用MOSFET作為輸入部分,其特性與N溝道增強型。MOS器件的轉移特性相似,形成電壓型驅動模式,用GTR作為輸出部件,導通壓降低、容量大,不同的是IGBT的集電極IC受柵一射電壓UCE的控制,導通、關斷由柵一射電壓UCE決定。


目前大部分逆變器都採用IGBT和IPM作為開關器件,由IGBT基本組合單元與驅動、保護以及報警電路共同構成的智能功率模塊(IPM)已成為IGBT智能化的發展方向,將IGBT的驅動電路、保護電路及部分介面電路和功率電路集成於一體的功率器件。35 kW等級的DC 600 V逆變器一般採用1 200 V/300 A模塊,IGBT和IPM分為單單元和雙單元,3隻雙單元模塊可構成i相逆變器主電路,如圖2所示。


 






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