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概述

LVDS簡介 LVDS是高速、低電壓、低功耗和低噪聲的通用I/O接口標準。低電壓拜服和差分電流模式輸出可以顯著減少電磁干擾(EMI)。在設計一個LVDS板時需要考慮許多因素,例如差分路徑,阻抗匹配,串……

LVDS簡介 LVDS是高速、低電壓、低功耗和低噪聲的通用I/O接口標準。低電壓拜服和差分電流模式輸出可以顯著減少電磁干擾(EMI)。在設計一個LVDS板時需要考慮許多因素,例如差分路徑,阻抗匹配,串擾和電磁干擾。 差分線 LVDS利用差動傳送方式,這意味著每個LVDS信號使用兩根信號線。這兩根信號線之間的電壓差定義了LVDS的值信號。為了在差分線上成功傳輸LVDS信號,在PCB Layout時需要遵循以下規則 為了保證最小的反射和保持接收器的共模噪聲抑制,差分線從驅動器出來後採用緊耦合的原則。此外,為了避免不連續性在差分阻抗,差分線之間的距離在整個佈線路徑上要保持不變。 為了儘量減少偏差,LVDS差分之間走線要求等長處理。 儘量減少過孔及其它導致信號不連續的行為。 任何寄生負載,如電容,必須等量存在於每對差分對中。 為了避免信號不連續,Layout時走線拐角採用圓弧或者45度走線替代90度走線。 阻抗匹配 LVDS信號屬於高速信號,因而阻抗匹配顯得十分重要,即便走線很短。任何不連續的差分LVDS走線都會造成信號的反射,從而降低信號的質量。這些不連續也增加了共模噪聲和EMI。由於LVDS輸出是電流輸出模式,LVDS接收器具有很高的輸入阻抗,因此需要終端電阻來構成信號環路,此時驅動器輸出的電流絕大部分流過終端匹配電阻,並在該電阻上形成壓差,當驅動器輸出信號翻轉時,將改變流經電阻的電流方向,從而產生有限的高低邏輯電平。沒有該匹配電阻將不起作用。這個終端匹配電阻的值與傳輸線的差分阻抗一致,範圍選擇為90ohm到110ohm(通常選用100ohm). 差分通道的匹配電阻需要遵循以下原則 - PCB 佈局時終端匹配電阻儘可能靠近差分接收端(7mm以內),使用1個100ohm的電阻就可以了。 - 匹配電阻的封裝採用0603或者0805. LVDS和單端信號之間的串擾 為了減少LVDS和單端信號(例如LVTTL、SSTL-3、SSTL-2、和類似的標準)之間的串擾,差分LVDS信號和單端信號要隔離開。如果LVDS信號和單端信號沒有充分地彼此分開,那麼單端信號將可能對差分LVDS信號產生干擾。靠近單端信號的LVDS信號線受影響比另一根信號嚴重,從而減少了噪聲容限。為了避免串擾,在同一PCB層的單端信號與LVDS信號的距離應大於12mm。如果成本考慮不大時,可以設置單獨的LVDS層,使用電源層和地層來隔離LVDS信號和單端信號(例如採用LVDS層-電源層-地層-單端信號層的疊層設計)。 電磁干擾 電磁輻射通常是一個值得設計師關注的問題,因為電磁輻射可以通過航向電磁(TEM)波傳播,該電磁波可以從屏蔽裝置中逸出,導致系統電磁兼容性(EMC)測試失敗。單端傳輸如CMOS和TTL,幾乎所有的電場線可以遠離導線而自由輻射。其中一些磁場線可以輻射出去作為TEM波,這些磁場線可能逸出系統,從而導致EMC問題。 對於LVDS差分信號,磁場線趨向於互相抵消,而電場趨向於耦合。這些耦合的場互相限制,因而不會輻射出去。只有少數的邊緣場逃出這個耦合。因此,LVDS作為一個差分傳輸系統,比CMOS或TTL信號產生更少的EMI。圖1所示電磁場在單端信號線上產生邊緣電磁場、差分信號線上產生耦合場。 LVDS信號可以使用微帶線(外層)和帶狀線(中間層)傳輸。對於微帶線,地層在耦合額外的磁場線下,由此限制了更多磁場線從而減少EMI影響。帶狀線耦合所有的磁場線,從而顯著地減少EMI,但這樣做也有一些弊端。 ■比微帶線需要更多的傳輸時間(典型值為1.5倍) ■需要額外的過孔 ■需要更多層 ■難以準確實現100歐姆差分阻抗

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