晶體三極體的代換原則
晶體三極體的代換原則我們在維修、設計和實驗或試製中，常常會碰到晶體三極體的置換（代換）問題。如果掌握了晶體三極體的置換（代換）原則，就能使工作初有成效。其置換（代換）原則可劃分為三種：即類型相同、特性相近、外形相似。
一、類型相同
1.材料相同。即鍺管換鍺管，硅管換硅管。
2.極性相同。即NPN型管換NPN型管，PNP型管換PNP型管。
? 3.實際型號一樣，標註方法不同，如：D1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；貼片管用代號來代表原型號等。但不排除同一型號因為生產廠家的不同，參數差別極大的情況。
二、特性相近
用於置換（代換）的晶體三極體應與原晶體三極體的特性要相近，它們的主要參數值及特性曲線應相差不多或優於原管，對於不同的電路，應有所偏重。一般來說，只要下述主要參數相近，即可滿足置換（代換）要求。
1.集電極最大直流耗散功率(PCM)
一般要求用Pcm與原管相等或較大的晶體三極體進行置換（代換）。如果原晶體三極體在整機電路中實際直流耗散功率遠小於其Pcm，也可以用Pcm較小的晶體三極體置換（代換）。
2.集電極最大允許直流電流（ICm）
一般要求用Icm與原管相等或較大的晶體三極體進行置換（代換）。
實際不同廠家關於Icm的規定有所不同，有時差別很大，我們要注意到廠家給出的測試條件。常見的有以下幾種：
⑴根據集電極引線允許通過的最大電流值確定Icm。這個數值可能很大，例如，一隻Pcn=200mW的晶體三極體，其Icm可能會超過1A。
⑵根據Pcm確定Icm，即Pcm=Icm×Uce確定Icm。這個規定下的Pcm值比普通晶體三極體較小，比開關管較大，例如Pcm都是10W的普通晶體三極體2SC2209和開關管2SC2214，其Icm值卻分別為1.5A和4A。
⑶根據晶體三極體參數（飽和壓降、電流放大係數等）允許變化的極限值確定Icm。例如3DD103A晶體三極體的Icm是按其β值下降到實測值的1/3時確定的（Icm=3A）。
3.擊穿電壓
用於置換（代換）的晶體三極體，必須能夠在整機中安全地承受最高工作電壓。晶體三極體的擊穿電壓參數主要有以下5個：
⑴BVcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發射極開路，集電極電流Ic為規定值時，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對應的擊穿電壓，以下的相同）。
⑵BVceo：集電極-發射極擊穿電壓。它是指基極開路，集電極電流Ic為規定值時，集電極-發射極的電壓降。
⑶BVces：基極-發射極短路，集電極-發射極的擊穿電壓。
⑷BVcer：基極-發射極串聯電阻，集電極-發射極的電壓降。
⑸BVebo：集電極開路，發射極-基極的擊穿電壓。
在晶體三極體置換（代換）中，主要考慮BVcbo和BVceo，對於開關晶體三極體還應考慮BVebo。一般來說，同一晶體三極體的BVcbo＞BVceo。通常要求用於置換（代換）的晶體三極體，其上述三個擊穿電壓應不小於原晶體三極體對應的三個擊穿電壓。
4.頻率特性
晶體三極體頻率特性參數，常用的有以下4個：
⑴特徵頻率fT：它是指在測試頻率足夠高時，使晶體三極體共發射極電流放大係數β=1時的頻率。
⑵β截止頻率fβ：在共發射極電路中，輸出端交流短路時，電流放大係數β值，下降到低頻（1kHz）β值70.7%（3dB）時的頻率。
⑶α截止頻率fα：在共基極電路中，輸出端交流短路時，電流放大係數α值下降到低頻（1kHz）β值70.7%（3dB）時的頻率。
⑷最高振蕩頻率FMax：當晶體三極體的功率增益為1時的工作頻率。
在置換（代換）晶體三極體時，主要考慮fT與fβ。通常要求用於置換的晶體三極體，其fT與fβ應不小於原晶體三極體對應的fT與fβ。半導體管有高頻管和低頻管之分，晶體三極體ft低於3M為低頻管，場效應管低於303MH,反之，為高頻管。
.
5.其他參數
除以上主要參數外，對於一些特殊的晶體三極體，在置換（代換）時還應考慮以下參數：
⑴對於低雜訊晶體三極體，在置換（代換）時應當用雜訊係數較小或相等的晶體三極體。
⑵對於具有自動增益控制性能的晶體三極體，在置換（代換）時應當用自動增益控制特性相同的晶體三極體。
⑶對於開關管，在置換（代換）時還要考慮其開關參數，是否是帶有內置電阻。
三、外形相似
小功率晶體三極體一般外形均相似，只要各個電極引出腳標誌明確，且引出線排列順序與待換管一致，即可進行更換。
大功率晶體三極體的外形差異較大，置換（代換）時應選擇外形相似、安裝尺寸相同的晶體三極體，以便安裝和保持正常的散熱條件。如實在沒有，也可以用塑封管代替鐵封管。
掌握以上原則，在工作中就像如魚得水，運用自如。
