什麼是可控硅

 可控硅就是是可控硅整流器，被簡稱為可控硅，又可稱做晶體閘；是電器行業常用的一種電元器件，1957年美國通用電器公司開發出世界上第一款可控硅產品，並於1958年將其商業化；可控硅是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極； 可控硅具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。
可控硅工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速可控硅，雙向可控硅，逆導可控硅，光控可控硅等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。
可控硅（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開發出世界上第一個可控硅產品，並於1958年使其商業化。
結構
它是由一個PNPN四層半導體構成的，中間形成了三個PN結。
按關斷、導通及控制方式分類

按引腳和極性分類

按封裝形式分類

按電流容量分類

按關斷速度分類

可控硅T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成可控硅的主電路，可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電路。
可控硅的工作條件：
⒈ 可控硅承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，可控硅都處於反向阻斷狀態
⒉ 可控硅承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下可控硅才導通。這時可控硅超於正嚮導通狀態，這就是可控硅的閘流特性，即可控特性.
⒊ 可控硅在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，可控硅保持導通，即可控硅導通后，門極失去作用。門極只起觸發作用
⒋ 可控硅在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，可控硅關斷。
1.5v主要參數
概述
可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極體和一個NPN型三極體的複合管圖2



Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若門極電流為Ig，則可控硅陰極電流為Ik=Ia+Ig
從而可以得出可控硅陽極電流為：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式


式（1—1）中，在可控硅導通后，1-（a1+a2）≈0，即使此時門極電流Ig=0，可控硅仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。可控硅在導通后，門極已失去作用。
在可控硅導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大迴路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由於a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，可控硅恢復阻斷狀態。
可關斷可控硅GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控可控硅。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時可控硅能自行關斷。
 
  可控硅智能模塊
前已述及，普通可控硅（SCR）靠門極正信號觸發之後，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低於維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和雜訊。可關斷可控硅克服了上述缺陷，它既保留了普通可控硅耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷可控硅已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。
可關斷可控硅也屬於PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通可控硅相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都製成模塊形式。