| 半導體三極體是放大電路的核心元件。三極體的出現給電子技術的應用開闢了更寬廣的道路。常見的幾種半導體三極體的外形。 在半導體鍺或硅上製作兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP或NPN結構。 按照PN結的組合方式的不同，三極體可分為NPN型和PNP型兩種，其結構和電路符號。中間的N區或P區叫基區，兩邊的區域分別叫發射區和集電區，但三極體絕不是兩個PN結的簡單連接，它在製造工藝上必須具備以下幾個特點： (1)發射區的摻雜濃度較高，其作用是發射載流子； (2)集電區的摻雜濃度低於發射區，其作用是收集載流子； (3)基區摻雜濃度很低，且比F741817BPBLR發射區和集電區薄得多（一般只有1μm到幾十微米），其作用是控制載流子。 按照三極體的導電類型不同，三極體可分為NPN型三極體和PNP型三極體；按照三極體的頻率不同，三極體可分為高頻三極體和低頻三極體；按照三極體的功率不同，三極體可分為大功率、中功率、小功率三極體等；按照半導體材料不同，三極體可分為硅管和鍺管。目前我國生產的硅管大多為NPN型，鍺管大多為PNP型。硅三極體的溫度性能較好，應用也較多。對於PNP三極體，其工作原理與NPN型三極體相似，不同之處是在於使用時，工作電源的極性相反。 |
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