| 可控硅(晶閘管)原理圖
可控硅T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成可控硅的主電路，可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接，組成可控硅的控制電路。
從可控硅的內部分析工作過程：
可控硅是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極體和一個NPN型三極體的複合管圖2
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若門極電流為Ig,則可控硅陰極電流為Ik=Ia+Ig
從而可以得出可控硅陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式
式(1—1)中，在可控硅導通后，1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,可控硅仍能保持原來
的陽極電流Ia而繼續導通。可控硅在導通后，門極已失去作用。
在可控硅導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大迴路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由於a1和a1迅速下降，當1-(a1+a2)≈0時，可控硅恢復阻斷狀態。 |
