晶體生長理論是用以闡明晶體生長這一物理－化學過程；
晶體生長的動力學理論
晶面生長的動力學所指的是偏離平衡的驅動力（過冷或過飽和）與晶面生長的速率的關係，它和晶體表面的微觀形貌息息相關的；
（從20世紀20年代開始就有了這方面的研究。）晶體表面的光滑（原子尺度而言）與否對生長動力學起了關鍵性作用；
在粗糙的晶面上，幾乎到處可以填充原子成為生長場所；從而得出快速的線性生長規律。
至於偏離低指數面的鄰位面：W.科塞耳與F.斯特蘭斯基提出了晶面台階－扭折模型，這裡將晶面上台階的扭折做為生長的場所。由此可以導出相應的生長律。
至於光滑的密集平面（這些是生長速率最低，因而在晶體生長中最常見的），當一層原子填滿后，它表面就沒有台階繼續提供填充原子的場所，要通過熱激活來克服形成二維晶核的勢
壘，方能繼續生長。這樣，二維成核率就控制了晶面生長速率，導出了指數式的生長律。只有在甚高的驅動力(例如過飽和度達50%)作用下方可觀測到生長。但推論與實測的結果有著顯
著矛盾。為了解釋低驅動力作用下光滑晶面的生長，F.C.夫蘭克於1949年提出螺型位錯在晶面露頭處會形成永填不滿的台階，促進晶面的生長。在晶體生長表面上觀測到螺旋台階，這一
發現也證實了夫蘭克的設想。在W.伯頓、N.卡夫雷拉與夫蘭克1951年題為《晶體生長與表面平衡結構》這一重要論文中，對於理想晶體和實際晶體的晶面生長動力學進行了全面的講述，
成為晶體生長理論發展的重要里程碑。
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