半導體放電管選用注意事項
半導體放電管選用注意事項1.反向擊穿電壓VBR必須大於被保護電路的最大工作電壓。如在POTS應用中，最大振鈴電壓(150V)的峰值電壓（150*1.41=212.2V）和直流偏壓峰值（56.6V）之和為268.8V，所以應選擇VBR大於268.8V的器件。又如在ISDN應用中，最大DC電壓（150V）和最大信號電壓（3V）之和為153V，所以應選擇VBR大於153V的器件。
2.轉折電壓VBO必須小於被保護電路所允許的最大瞬間峰值電壓。
3.若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自複位，器件的維持電流IH必須大於系統所能能提供的電流值。即：IH >（系統電壓/源阻抗）。
4.最大瞬間峰值電流IPP必須大於通訊設備標準的規定值。如FCC Part68 A類型的IPP應大於100A；Bellcore 1089的IPP應大於25A。
5.半導體放電管處於導通狀態（導通）時，所損耗的功率P應小於其額定功率PCM，Pcm＝KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對於指數波，方波，正弦波，三角波 K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。
