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半導體分立器件型號命名法

admin @ 2014-03-17 , reply:0

概述

半導體二極體和三極體是組成分立器件電子電路的核心元器件。二極體具有單嚮導電性,可用於整流、檢波、穩壓、混頻電路中。三極體對信號具有放大和開關作用。它們的管殼上都印有規格和型號。其型號命名法有多種,主……

半導體二極體和三極體是組成分立器件電子電路的核心元器件。二極體具有單嚮導電性,可用於整流、檢波、穩壓、混頻電路中。三極體對信號具有放大和開關作用。它們的管殼上都印有規格和型號。其型號命名法有多種,主要有中華人民共和國國家標準——半導體器件型號命名法(GB24P-74)、國際電子聯合會半導體器件DUL36119UAD11AQC命名法、美國半導體器件型號命名法、日本半導體型號命名法等。

1.國產半導體器件型號命名法國產半導體器件型號命名法如表3-9所示,命名示例如下。

①鍺材料PNP型低頻大功率三極體:

②硅材料NPN型高頻小功率三極體:

③N型硅材料穩壓二極體:

2.國際電子聯合會半導體器件命名法國際聯合會半導體器件命名法主要由歐洲一些國家依照國際電子聯合會規疾制定的命名方法,其組成各部分的意義如表3-10所示。

國際電子聯合會晶體管型號命名法的特點:

①被歐洲許多國家採用。因此,凡型號以兩個字母開頭,並且第一個字母是A、B、C、D或R的晶體管,大都是歐洲製造的產品,或是按歐洲某一廠家專利生產的產品。

②第一個字母表示材料(A表示鍺管,B表示硅管),但不表示極性(NPN型或PNP型)。

③第二個字母表示器件的類別和主要特點。例如,C表示低頻小功率管,D表示低頻大功率管,F表示高頻小功率管,L表示高頻大功率管等。若記住了這些字母的意義,不查手冊也可以判斷出類別。例如,BL49型是硅大功率專用三極體。

④第三部分表示登記順序號。三位數字的是通用品;一個字母加兩位數字的為專用品。

順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如,AC184為PNP型,而AC185則為NPN型。

⑤第四部分字母表示同一型號按某一參數(如hFE或NF)進行分擋。

⑥型號中的符號均不反映器件的極性(指NPN或PNP)。極性的確定需查閱手冊或測量。

3.美國半導體器件型號命名法美國半導體器件型號命名法是由美國電子工業協會(EIA)制定的晶體管分立器件型號命名方法,其組成各部分的意義如表3.11所示。

例如,2N2222表示三極體,至於它有什麼用途,標示上沒有明確,只有查參數資料。

美國晶體管型號命名法的特點:

①型號命名法規疾較早,又未做過改進,型號內容很不完備。例如,對於材料、極性、主要特性和類型,在型號中不能反映出來。例如,2N開頭的既可能是一般晶體管,也可能是場效應管。因此,仍有一些廠家按自己規疾的型號命名法命名。

③除去前綴以外,凡型號以1N、2N或3N……開頭的晶體管分立器件,大多是美圉製造的,或按美國專利在其他國家製造的產品。

④第四部分數字只表示登記序號,而不含其他意義。因此,序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如,2N3464為硅NPN高頻大功率管,而2N3465為N溝道場效應管。

⑤不同廠家生產的性能基本一致的器件,都使用同一個登記號。同一型號中某些參數的差異常用後綴字母表示。因此,型號相同的器件可以通用。

⑥登記序號數大的通常是最新產品。

4.日本半導體分立器件型號命名法日本半導體器件型號命名法按日本工業標準(JIS)規疾的命名法(JIS-C-702)命名,由五到七個部分組成,第六、七個部分的符號及含義通常是各公司自行規疾的,其餘各部分的符號及意義如表3-12所示。

第六部分的符號表示特殊的用途及特性,其常用的符號如下。

M——松下公司用來表示該器件符合日本防衛廳海上自衛隊參謀部有關標準。

N——松下公司用來表示該器件符合日本廣播協會(NHK)有關標準。

Z——松下公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。

H-日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。

K-日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。

T-日立公司用來表示收發報機用的推薦產品。

G-東芝公司用來表示專為通信設備製造的器件。

S--洋公司用來表示專為通信設備製造的器件。

第七部分的符號,常被用來作為器件某個參數的分擋標誌。例如,三菱公司常用R、G、Y等字母,日立公司常用A、B、C、D等字母,作為直流放大系教hFE的分擋標誌。

日本半導體器件型號命名法有如下特點:

②第二部分均為字母S,表示日本電子工業協會(EIAJ)註冊產品,而不表示材料和極性。

③第三部分表示極性和類型。例如,用A表示PNP型高頻管,用J表示P溝道場效應三極體。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。

④第四部分只表示在日本工業協會註冊登記的順序號,並不反映器件的性能,順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如,2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW,而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是,登記順序號能反映產品時間的先後。登記順序號的數字越大,越是近期產品。

⑤第六、七兩部分的符號和意義,各公司不完全相同。

⑥日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號,常採用簡化標記的方法,即把2S省略。例如,2SD764簡化為D764,2SC502A簡化為C502A。

⑦在低頻管(2SB和2SD型)中,也有工作頻率很高的管子。例如,2SD355的特徵頻率fT為100MHz,所以它們也玎當高頻管用。

⑧日本通常把Pcm>lW的管子,稱做大功率管。

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