另一個電路(Horowitz和希爾)如下所示，該電路幾乎相同，第二季度的基礎是不連接到地面的除外。電壓在發射器，VE，是這裡最重要的事情。Q1關閉，如果輸入的是低電壓的輸出變低時，Q1的基極上升到0.……...
遲滯比較器(施密特觸發器)可建成使用LM339，LM239，LM2901，LM2901V，NCV2901，或MC3302四單一供應比較器集成電路晶元。下面是電路的原理圖和公式：該電路的輸出擺幅高或低，……...
SXTY三相交流調壓（閉環）觸發板用於三相交流調壓系統中可控硅的移相觸發單元，該觸發板含有同步信號檢測、閉環PI調節器及脈衝變壓器輸出單元。可構成具有穩壓輸出功能的三相交流調壓系統。SXTY三相交流調……...
逆導晶閘管(RCT)逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反嚮導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向並聯一隻二極體，使陽極與陰極的發射結均呈短路狀態。……...
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖1所示2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導通1、陽極電……...
鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有……...
可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之後，撤掉信號亦能維……...
硅單向開關(SUS)硅單向開關SUS(SiliconUnidirectionalSwitch)亦稱單向觸發晶體管，上繼雙向觸發二極體（DIAC）之後發展起來的新型觸發器件。三個引出端分別是陽極A，陰極……...
單結晶體管又叫雙基極二極體，它的符號和外形見附圖應當說明的是，上述判別B1、B2的方法，不一定對所有的單結晶體管都適用，有個別管子的E--B1間的正向電阻值較小。不過準確地判斷哪極是B1，哪極是B2在……...
■可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的……...
