如圖所示，讓對稱半橋全波整流電路按照QSW方式工作，在所有負載範圍內電感電流都從正到負變化，則可實現原邊開關管在開通之前，電感電流反映到原邊，流過即將開通的開關管的體二極體，實現ZVS。而且在負載突升時，輸出濾波電感的等效占空比可達到100％，整個周期都會有正壓加在輸出濾波電感上，來提升電流；負載突降時，濾波電感的等效占空比可以為0％，整個周期都會有負壓加在電感上，來降低電流。具有與單通道QSW電路相似的動態響應特性。應用交錯並聯技術，把兩個對稱半橋全波整流電路並聯起來(如圖10所示)，取穩態占空比為0.5，可實現完全的輸出電流紋波互消作用，大大減小輸 出 濾 波 器 ， 在 負 載 突 升 和 負 載 突 降 時 ， 具 有 對 稱 的 快 速 動 態 響 應 。
圖9 對稱半橋全波整流電路及QSW工作波形
圖10 交錯並聯對稱半橋全波整流電路
圖11為對稱半橋倍流整流拓撲，兩個輸出濾波電感的電流相位相差180°，與雙通道交錯並聯拓撲存在相似的電感電流紋波互消作用，對應D=0.5時，可以實現完全的電流紋波互消作用（輸出電流紋波為零）。在應用於負載對動態響應要求不高的場合時，可以把穩態占空比選定為0.5，從而大大減小輸出濾波器的體積。但對於數據處理器這類對動態響應有較高要求的負載時，不能把0.5這一滿占空比作為穩態占空比。但當D偏離0.5時，其紋波互消作用則會大大削弱，限制了輸出濾波器參數的取小，降低了功率級的能量傳輸速度。在這種情況下利用交錯並聯技術，把兩個對稱半橋倍流整流拓撲進行交錯並聯，如圖12所示，則可實現與四通道交錯並聯QSW電路相似的紋波互消作用（Dmax<0.5）此時，若把穩態占空比定在0.25，則可實現穩態時完全的紋波互消作用，輸出濾波電感也可以取得很小，從而在負載突升(D：0.25→0.5)和突降(D：0.25→0)時，具有對稱的快動態響應。
圖11 對稱半橋倍流整流拓撲
圖12 交錯並聯對稱半橋倍流整流拓撲及其原理波形
值得指出的是，這些交錯並聯結構的拓撲特別適合於應用磁集成技術。可採用多通道電感集成方案及電感和變壓器的集成方案[7][8]。從而大大減小磁性元件所佔的總體積，簡化電路布局、封裝設計，與分立磁性元件相比，具有顯著的優越性。
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