LED基本原理介紹
LED基本原理介紹發光二極體的實質性結構是半導體 PN 結。在 PN 結上加正向電壓時注入少數載流子，少數載流子的複合發光就是發光二極體的工作機理。PN 結就是指在一單晶中，具有相鄰的P區和 N區的結構，它通常是在一種導電類型的晶體上以擴散、離子注入或生長的方法產生另一種導電類型的薄層來製得的。如曾用離子注入法製成碳化硅藍色 LED，用擴散法製成、 As0.60P0.40/GaAs0.35P0.65：N/GaP、GaAs0.15P0.85：N/GaP、GaP：ZnO/GaP 的紅外、紅光、橙光、黃光、紅光 LED，而 GaAlAs、InGaN、InGaAlP 超高亮度 LED 都是由： LEDPN結也是用生長結制
成的。生長結一般較擴散法和離子注入法是過補償製成 結，量下降，缺陷增多，使用權非輻射複合增加，導致發光效率下降。、磷砷化鎵、銦鎵氮、銦鎵鋁磷等 III-V 族化合物半導體材料，其他還有 IV 族化合物半導體碳化硅、II-VI 族化合物硒化鋅等。
GaAs Ga生長結製成，效率較高的 GaAs、GaP ZnO/GaP和 GaP：N/GaPPN 無用雜質過多且造成晶體質.常用來製造 LED 的半導體材料主要有砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷
