歡迎您光臨本站 登入註冊首頁

功率MOSFET的優缺點

admin @ 2014-03-19 , reply:0

概述

 功率MOSFET的優缺點功率MOSFET其優點是:  1)開關速度快:功率MOSFET又稱VDMOS,是一種多子導電器件,參加導電的是多數載流子,沒有少子存儲現象,所以無固有存儲時間,其開……

 功率MOSFET的優缺點

功率MOSFET其優點是:
  1) 開關速度快:功率MOSFET又稱VDMOS,是一種多子導電器件,參加導電的是多數載流子,沒有少子存儲現象,所以無固有存儲時間,其開關速度僅取決於極間寄生電容,故開關時間極短(小於50-100ns),因而具有更高的工作頻率(可達100KHz以上)。
  2) 驅動功率小:功率MOSFET是一種電壓型控制器件,即通斷均由柵極電壓控制。完全開通一個功率MOSFET僅需要10-20毫微秒庫侖的電荷,例如一個1安培、10毫微秒寬的方波脈衝,完全開通一個功率MOSFET僅需要10毫微秒的時間。另外還需注意的是在特定的下降時間內關斷器件無需負柵脈衝。由於柵極與器件主體是電隔離的,因此功率增益高,所需要的驅動功率很小,驅動電路簡單。
  3) 安全工作區域(SOA)寬:功率MOSFET無二次擊穿現象,因此其SOA較同功率的GTR雙極性晶體管大,且更穩定耐用,工作可靠性高。
  3) 過載能力強:功率MOSFET開啟電壓(閥值電壓)一般為2-6v,因此具有很高的雜訊容限和抗干擾能力。
  4) 並聯容易:功率MOSFET的通態電阻具有正穩定係數(即通態電阻隨結溫升高而增加),因而在多管並聯時易於均流,對擴大整機容量有利。
  5) 功率MOSFET具有較好的線性,且對溫度不敏感。因此開環增益高,放大器級數相對可減少。
  6) 器件參數一致性較好,批量生產離散率低。
  功率MOSFET的缺點:導通電阻大,且隨溫度升高而增大。

[admin via 研發互助社區 ] 功率MOSFET的優缺點已經有8458次圍觀

http://cocdig.com/docs/show-post-38808.html