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開關電源磁芯特性

admin @ 2014-03-26 , reply:0

概述

摘要:本文對高頻開關電源所用磁芯的特性進行了研究。將磁芯理論與開關電源相結合,簡明的闡述了功率磁芯的重要特性。文章解釋了溫度對磁性能的影響,磁滯的形成以及對不同拓撲電源損耗的把握,並詳細的推導了正激電……

摘要: 本文對高頻開關電源所用磁芯的特性進行了研究。將磁芯理論與開關電源相結合,簡明的闡述了功率磁芯的重要特性。文章解釋了溫度對磁性能的影響,磁滯的形成以及對不同拓撲電源損耗的把握,並詳細的推導了正激電源勵磁電感的表達式,以及反激電源開氣隙的真正原因。

1. 物質磁性的起源和居里溫度
    物質是由原子組成的,原子中的電子有兩種運動方式:繞原子核的軌道運動和繞本身軸的自旋。無論哪種運動都可等效為一個環形電流,由安培環路定律可知,必然產生磁場。即,原子的磁場來自軌道磁場加自旋磁場。宏觀的磁場則表現為所有原子磁場的矢量和。當原子與原子的磁場取向相反時,磁場彼此抵消,對外不顯示磁性。當原子與原子的磁場取向相同時,磁場彼此疊加,對外顯示磁性。實際物體的宏觀磁場,大多不是以原子產生的磁場為單位,而是以磁疇為單位。磁疇可以理解為無數個具有相同方向(磁場)的原子的聚集。而磁疇磁場取向的排列才真正決定物體的宏觀磁性。
 
    各種磁性物體都有一個重要的物理參數:居里溫度。也就是說對於磁性物體,當超過某個特定的溫度時不管外界磁化磁場的大小,都不再顯示磁性。這是因為熱運動使物體的磁疇混亂排列,磁場彼此抵消,宏觀上不顯示磁性。所以電源用磁性材料必須考慮磁芯的散熱,溫度的升高必然導致磁性能的下降。磁性物體決不能在居里溫度以上工作。一般來講,磁導率越高居里溫度越低。常規電源用鐵氧體材料的居里溫度約為220℃。 

2. 電源用磁性物體的分類和磁化曲線

  • 鐵磁性材料:這種磁性體只要在很小的磁場的作用下就能磁化到飽和。並且對外顯示強磁性。其磁導率高達106數量級。一旦外場消失則對外不顯示磁性。高頻變壓器用的硅鋼片就屬於典型的鐵磁體。
  • 亞鐵磁性材料:相對鐵磁性而言僅僅是磁導率要小2—3個數量級。比如我們高頻變壓器用的鐵氧體是典型的亞鐵磁性材料。

典型的磁化曲線:
 
    作為正激和橋式變換器,大都工作在區域1和2。這兩個區的特點是:外磁場很小,並且磁化過程是可逆的。對1區有B=µiH。µi 為起始磁導率。顯然是線性的。對輸出功率不大、頻率不高的電源變壓器,可以極為精確的計算工作時的B值。在2區有B=µiH+bH2。其中b為瑞利常數。這個區已經不是線性的了。但磁化過程仍然可逆。通常針對這兩個區,在工程應用上我們仍然取近似公式:B=µiH。由於可逆,故正激變換器幾乎沒有磁滯(實際上由於工藝等原因,仍然存在不可逆磁化,仍有磁滯,只不過比較小)。對於輸入輸出相同的電源,若分別採用正激和反激拓撲,只要工作頻率相同,正激變壓器的效率一定高於反激變壓器。
    對於反激變壓器而言,其工作區域是1、2、3區。其中3區屬於不可逆磁化區,這個區域是磁滯的主要形成區,故反激變壓器定有磁滯損耗的成分。它是工作在中等磁場範圍內,此時當磁場的變化範圍很小時,B的變化十分顯著,其磁導率迅速增大並達到最大值,這個區也是最大磁導率區。顯然1、2、3各區的磁導率並不相等。但在變壓器的參數計算時,我們採用公式B=µe H。其中µe為有效磁導率,使將1、2、3中的B---H曲線等效為一根直線得出的B和H的比值。需要說明的是這個式子適應於以DCM方式工作的反激變換器。以CCM方式工作的反激變換器,精確的計算須使用增量磁導率。正激變換器中的儲能電感的計算同樣要考慮DCM方式使用µe,CCM方式使用增量磁導率。
    圖4是最大磁滯洄線。磁化過程不能按原路返回,則必然有能量的消耗,磁化一周消耗的功率就等於磁化曲線包圍的面積。為降低功耗,我們在選擇磁芯時,總是希望磁滯洄線越瘦越好。這樣才更近似於一條過坐標零點的直線。當用公式B=µe H時,才更接近實際情況。由於B=µe H是個近似的公式,而磁芯的Bmax又是隨溫度的上升而降低,因而在設計變壓器時ΔB值一定要留有餘量。(DCM方式通常不應超過其標稱Bmax值的2/3,注意這個值對應產品可能工作的最高溫度),如果該值余量不大,電源過流保護的流限延遲,也必須考慮。通常情況,一個設計正確的電源,滿負載情況下,在全電壓輸入範圍內開環工作,變壓器的磁芯是不會飽和的。

3. 勵磁電流
    一個實際的變壓器,總可等效為一個勵磁電感和一個理想變壓器的並聯,如圖5。
 
    對反激變壓器則等效為一個理想電感。在Ton時,有
Vin=n1Ae(db/dt)----①。
    由安培環路定律:
∮hdl=n1I1+n2I2=HLe=Φ1Rm/n1----②
    其中Ae磁芯的有效截面積, B為磁感應強度 ,H為磁場強度, Le為有效磁路長度 ,Φ1為變壓器初級磁通,Rm為磁芯磁阻。由②式可得:
I1=(-n2/n1)I2+LeH/n12=(-n2/n1)I21Rm/n12=(-n2/n1)I21/ Lm =I1’+Im。③
    顯然變壓器的能量來源於I1 ,I1中必然包含了勵磁電流。③式中的Im 即為勵磁電流,I1’為次級等效到初級的電流。至此,可以得出結論:次級繞組開路時的初級電流即為勵磁電流。相應次級開路時的初級電感則可近似認為是勵磁電感。由上述公式可推出勵磁電感的表達式為:
Lm= n12/ Rm---④(磁阻的倒數即為磁芯的電感因子)。由④知,當n1→∞, Rm→0時,Lm→∞,變壓器越趨向理想變壓器,需要的勵磁電流就越小,變壓器的效率就越高。

4. 磁芯的氣隙
    對反激變壓器,本質是個電感。其全部電流都為勵磁電流,由電感的儲能公式:W=1/2LI2 知,要增大其儲能,表面看來可採用兩種方式:第一,增大電感量(即增加匝數)。這樣變壓器的體積會大大增加,還有一個問題是,由於磁芯的ΔBmax不變,則最大工作電流必然減小,所以採用增大電感量來增加儲能是不明智的。第二,就是增加工作電流。由Φ=LI=nΔBmaxAe=n2ALI可得:nALI= nI/ Rm =ΔBmaxAe。L為初級電感量,Ae為磁芯的有效截面積,AL為磁芯的電感因子,Rm為磁芯磁阻,n為初級匝數。顯然右邊的式子對給定的磁芯是個恆定值。要增大初級電流I,必然要增大磁芯磁阻Rm,增大磁芯磁阻則常用開氣隙的方法實現(當然還可插入永久磁片進行反向磁化),開氣隙后雖然電感值下降,單看這項,誤以為減弱了磁芯的儲能。但電流對磁芯儲能的貢獻卻成平方倍增長,導致最終磁芯總儲能的增加。如圖6。
 
    雖然開氣隙后的磁導率小於未開氣隙時的磁導率,但到達磁芯磁化飽和的磁場強度(與電流成正比)卻大大增加了。由Rm=L/µA= LA+ LA。
由於µ>>µ所以磁阻大大增加。足夠有利於儲存更多的能量。加氣隙后磁阻的增大,必然增加漏磁,尤其是在氣隙的周圍。繞線的方式也很講究如圖7-8:
 
    如果要減小漏感則線圈可直接繞在氣隙上,但在氣隙周圍的線圈將處在很強的變化磁場中,會在導線中產生局部渦流,長時間後會把漆包線燒變色。對於氣隙分散的鐵粉心,減小漏感的最佳方式是分散的均勻的繞滿整個磁芯。通常的氣隙長度為0.2mm---1mm之間。

5. 磁芯損耗的分類
    磁芯損耗可分為三種:①磁滯損耗 ②渦流損耗 ③剩餘損耗(主要由磁後效引起,與粒子的擴散有關)。磁滯在低場下可以不予考慮,渦流在低頻下也可忽略,剩下的就是剩餘損耗。在磁感應強度較高或工作頻率較高時,各種損耗互相影響難於分開。故在涉及磁損耗大小時,應註明工作頻率f以及對應的Bm值。但在低頻弱場下,可用三者的代數和表示:tanδm= tanδh+tanδf+tanδr。式中tanδh  tanδf  tanδr分別為:磁滯損耗角正切,渦流損耗角正切,剩餘損耗角正切。各種損耗隨頻率的變化關係如圖9。
 
    由圖9可見,剩餘損耗和B的大小無關,但隨頻率增大而增大。而磁滯損耗隨B的增加增大,渦流損耗則和頻率成線性變化。了解了這些就可知:在正激和橋式電源中,磁芯損耗著重考慮渦流損耗。在反激變壓器和儲能電感中,既要考慮渦流損耗又要考慮磁滯損耗,尤其是DCM方式工作的電源,磁滯損耗是第一位的。所以可以確定,做電源時第一點就是根據電源的工作頻率選取相應的磁芯材料。
    多數情況下,生產磁芯的企業可在材料的配方和工藝上遏制磁芯的損耗。對於給定的磁芯,開關電源工程師是無法降低其損耗的。唯一能夠做的就是正確的使用磁芯。工程應用中常見的發熱現象50%以上是磁飽和,剩下的才是磁滯損耗和渦流損耗(包括導線的粗細不正確和磁芯工作頻率不正確)。

參考文獻
1、www.ti.com/sc/docs/stdterms.htm  Inductor and Flyback Transformer Design  
2、虞厥邦 楊國雄 羅松筠    功率電子學導論   成都,電子科技大學出版社,1992  
3、宛德福 馬興隆    磁性物理學  成都,電子科技大學出版社,1992
4、張有綱 黃永傑 羅迪民    磁性材料  成都,電子科技大學出版社,1988
5、Philips Electronics N.V.2000, FERROXCUBE Soft Ferrites And Accessories Data Handbook,2000
6、復旦大學、上海師範大學物理系,物理學-電磁學,上海科學技術出版社,1979


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