名稱:GaNFET在6GHz頻率條件下可產生174W功率
對衛星和蜂窩基站來說，一個由Toshiba公司提供的GaN（氮化鎵）功率場效應管（FET）在輸出功率上超過了GaAs（砷化鎵）器件，功率密度被提高了7倍。目前市面上的GaAs器件的額定輸出功率大約為90W/6 GHz和30W/14 GHz，而相比之下，GaN的飽和電子速度、介質擊穿電壓和工作溫度範圍都要高於GaAs。對於在GHz級工作頻率條件下實現更高的輸出功率而言，這些因素是很重要的。
這款器件採用了一種外延層結構，具有優化的FET布局和尺寸設置，並運用了一種旨在實現低接觸電阻和低柵極漏電流的新型表面處理工藝。Toshiba公司的生產過程還使用了一種改進版本的傳統步進工藝，與C波段GaN器件常用的電子束平板印刷術相比，它更加適用於大批量生產。一個GaN功率FET晶元的大小為2.92毫米×0.71毫米，一個包含4顆晶元的封裝器件（如照片中所示）的外部尺寸為24.5毫米×17.4毫米。
