耗盡型MOS管(MOSFET)特性曲線及主要參數

admin @ 2014-03-19 , reply:0

耗盡型MOS管(MOSFET)特性曲線及主要參數
 耗盡型MOS管(MOSFET)特性曲線及主要參數

 上面介紹的是增強型 N 溝道 MOS-FET 的簡單工作原理,對於 P 溝道的增強型 MOS-FET 來說,其偏置極性相反,原理相同。增強 MOS-FET 的特點是, N 溝道的建立是 UgS 的貢獻,沒有 Ugs > Ut ,導電溝道就無法建立, D 、 S 之間就不會有導通電流。與增強型 MOS-FET 相比,另有一種 MOS-FET,稱為耗盡型 MOS 一 FET ,它在製造過程中,在二氧化硅絕緣層中攙進大量正離子,形成一個正電中心,產生了指向 P 型硅表面的垂直電場,在 Ugs 為零時, D 、 s 之間已經有 N 溝道形成,若外加 Ugs 大於零,導電溝道加寬,當 Ugs 為負值,負到一定值時,正電中心形成的垂直電場被抵消,導電溝道消失。此時的 UgS 也被定義成夾斷電壓,記為 Ut 。耗盡型

MOS 一 FET 的特性曲線類似於增強型 MOS 一 FET ,只是出現了負偏置需求,請看圖 1 . 26 的典型特性曲線:



MOS-FET 的主要參數

[ l ]飽和漏極電流 IdsS ,是指在 Ugs =OV , Uds >|Up|時的Id 值,是耗盡型管的參數。

[ 2 ]夾斷電壓 Up ,是指 UdS 固定時,使得耗盡型 MOS-FET 的 Id 幾乎為零時的柵源極間電壓值。

[ 3 ]開啟電壓 Ut ,是指 UdS 固定時,使得增強型 Mos-FET 開始導電的柵源極間電壓值。

[ 4 ]直流輸入電阻 RgS ,它等於柵極直流電壓 Ugs 與柵極電流之比, MOS-FET 的 Rgs 在 10e10-10e15 Ohm 之間。

[ 5 ]柵源極間擊穿電壓 BVgS ,是指 G 、 S 間發生擊穿時的 UgS 電壓值。

[ 6 ]最大功耗 Pdm=Id*Uds .

[ 7 ]跨導 Gm ,是指 UdS 、 UbS 為常數時,漏極電流的變化量與柵源極間電壓變化量之比。本質為轉移特性曲線工作點處的斜率。

[ 8 ]輸出電阻 RdS ,是指恆流區,當 Ugs 、 Ubs 為常數時, UdS 的變化量與 Ids 變化量之比。本質意義是輸出特性曲線工作點處的斜率



[ 9 ]動態導通電阻 Ron ,是指在可變電阻區,當 UdS 、 UbS 為常數時, Uds 變化量與 Ids 變化量之比,可以證明 Ron=1/Gm 。

[10 ]背柵跨導 Gmb ,是指 UdS 、 Ugs 為常數時, Ubs 變化量與 Id 變化量之比。

[ l1 ]極間電容,是指 MOS-FET 三個引腳之間的寄生電容: CgS 、 CdS 、 Cdg,以及背柵與其它電極之間的電容: Cbd,Cbg,CbS 。





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